1,200V IGBT7 TRENCHSTOP™ MOSFET

다양한 응용 분야에 맞게 4가지 패키지 유형으로 제공되는 Infineon Technologies의 IGBT

Infineon Technologies 1200V IGBT7 TRENCHSTOP™ 제품군 이미지Infineon Technologies의 7세대 1,200V TRENCHSTOP IGBT는 이산 소자 IGBT 및 다이오드 기술의 기준을 수립합니다. 이 이산 소자 제품은 4가지 패키지 유형에서 최대 140A의 높은 정격 전류 포트폴리오를 제공하며 전도 파라미터 VCE(sat)는 이전 세대에 비해 50% 낮고 스위칭 손실은 최대 84% 낮습니다. 열악한 조건(HV-H3TRB 및 우주선 견고성 포함)의 응용 제품에서 손쉬운 EMI 설계와 더 높은 신뢰성을 제공합니다. 이 기술은 최초로 1,200V 이산 소자 IGBT 시장에서 사용할 수 있습니다. 특정 응용 제품에 최적화된 성능을 갖춘 H7, S7 및 T7 계열을 비롯한 전체 라인업을 확인합니다.

S7 계열: 1,200V TRENCHSTOP IGBT7 S7 포트폴리오는 단락 기능/견고함이 필요한 모든 산업용 응용 제품을 위한 우수한 옵션입니다. 벤치마크 효율과 단락에 강한 이산 소자는 이전 세대보다 최소 10% 낮은 포화 전압을 제공합니다. 일부 장치는 소프트 전체 정격 EC7(방출기 제어) 다이오드와 함께 제공되어 IGBT 포화 VCE(sat) 및 낮은 Qrr를 크게 줄였습니다. 이 계열은 기존 IGBT 장치의 벤치마크를 확장하는 우수한 제어 가능성과 단락 견고성을 제공합니다.

H7 계열: 1,200V IGBT 공동 팩 이산 소자 장치는 방출기 제어 EC7 고속 다이오드 기술과 결합된 TRENCHSTOP IGBT7 H7을 사용하여 열악한 조건에서 견고성과 동급 최고의 전도 및 스위칭 전력 손실 성능을 제공하고 TO-247 패키지에서 40A ~ 140A를 포괄하는 고유한 고전류 등급 포트폴리오를 제공합니다. 따라서 최신 고속 스위칭 산업용 인버터 시스템의 증가하는 요구 사항을 충족하는 데 도움이 됩니다.

기존 T7 계열: 이 650V 계열은 탁월한 제어 및 성능을 제공하는 최신 마이크로 패턴 트렌치 기술과 함께 프리휠링 다이오드를 사용하여 설계된 최초의 제품으로 손실을 크게 감소하고 효율성을 개선하며 출력 밀도를 증가시킵니다. 단일 솔루션의 경우 5kHz 미만에서 최대 40kHz까지 스위칭 주파수의 유연성을 구현하도록 설계되었습니다. 성능이 개선되고 산업용 모터 구동 및 제어에 최적화된 이 제품은 이전 세대의 대안이 됩니다.

특징
  • 최대 140A 등급의 고출력 밀도(H7만 해당)
  • 낮은 EMI 방출로 빠른 스위칭 동작
  • 대상 응용 제품에 최적화된 다이오드, 소프트하고 낮은Qrr(특정 장치)
  • 우수한 스위칭 동작을 유지하면서 낮은 게이트 저항기 선택 가능(최소 5Ω)
  • +175°C의 Tj(최대) 제공
  • 계열에 따라 최대 4개의 패키지 선택 가능
  • 대상 응용 제품에 대해 JEDEC에 따라 인증됨
  • 무연 리드 도금
  • RoHS 준수
응용 분야
  • 빠른 EV 충전
  • 산업용 가열 및 용접
  • 태양광 에너지 시스템용 솔루션
  • 무정전 전원 공급 장치(UPS)
  • 산업용 모터 구동 및 제어

1,200 V TRENCHSTOP™ IGBTs

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IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247IKQ120N120CS7XKSA1IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247278 - 즉시$20,731.00세부 정보 보기
IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-46IKQ75N120CS7XKSA1IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-46269 - 즉시$16,013.00세부 정보 보기

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게시 날짜: 2023-05-02