필드 스톱 IGBT 기술
높은 입력 임피던스와 높은 전류 성능을 제공하는 ON Semiconductor의 필드 스톱 IGBT
ON Semiconductor의 필드 스톱(FS) IGBT 기술은 설계자가 낮은 전도 및 스위칭 손실이 필수인 곳에 최적의 성능을 제공하면서 매우 높은 입력 전압으로 신뢰할 수 있는 시스템을 개발할 수 있게 합니다. IGBT는 고전류 처리 성능, 정비례 온도 계수, 엄격한 파라미터 분배 및 넓은 안전 작동 영역을 특징으로 합니다. 향상된 항복 전압은 네거티브 주변 온도가 있는 곳에서 신뢰성을 향상합니다. 온도가 감소함에 따라, IGBT 및 FRD 블록 전압도 감소하여 더 추운 기후에 사용되는 PV 태양광 인버터에 특히 장치가 유용하도록 합니다. 신중한 IGBT 선택과 프리휠링 다이오드는 효율을 최대화하는 데 필수적이므로 ON Semiconductor IGBT는 전력 손실을 줄이고 낮은 턴온 및 턴오프 손실을 실현하는 신속하고 부드러운 회복을 제공합니다.
ON Semiconductor FS 기술은 신뢰성 또는 견고성에 영향을 주지 않고 고성능을 실현하며 IGBT 성능에 대한 진보를 위해 계속 노력합니다. 당사 4세대 기술 개발은 기타 어떤 FS IGBT보다 우수한 트레이드 오프 특성과 동적 래치 업 내구성을 가능하게 합니다.
백서 - 세부 분석 및 성능 결과
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Featured IGBTs
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IGBTs - Single
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![]() | ![]() | FGH40T65SPD-F155 | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 | 120 A | 0 - 즉시 | See Page for Pricing | 세부 정보 보기 |
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![]() | ![]() | FGL35N120FTDTU | IGBT TRENCH FS 1200V 70A TO-264 | 105 A | 0 - 즉시 1055 - Marketplace | $9,859.59 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | FGH40T100SMD | IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247 | 120 A | 0 - 즉시 | See Page for Pricing | 세부 정보 보기 |
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