PERSYST xSPI MRAM: 미션 크리티컬 응용 제품을 위한 고신뢰성 메모리

Everspin Technologies는 항공 우주, 방위, 뉴 스페이스 및 극한의 환경 및 작동 조건에서도 견고한 데이터 보존이 요구되는 기타 미션 크리티컬 시스템을 위해 설계된 고신뢰성 메모리 제품군인 PERSYST xSPI MRAM을 출시했습니다. Everspin의 검증된 스핀 전달 토크 자기저항 랜덤 액세스 메모리(STT MRAM) 기술을 기반으로 구축된 이 제품은 배터리, 리프레시 사이클, 웨어 레벨링 또는 데이터 손실 위험 상태 없이 진정한 비휘발성, 빠른 랜덤 액세스 및 업계 최고 수준의 내구성을 제공합니다.

이러한 PERSYST 추가 기능은 고신뢰성 환경에 맞춰 조정된 추가 스크리닝 및 인증 단계를 통해 Everspin 표준 MRAM 장치의 성능을 향상시킵니다. 각 장치는 초기 고장을 식별하고 제거하여 임무 지속 시간의 신뢰성을 향상시키고 예측 가능한 장기 성능을 보장하도록 설계된 48시간의 번인 프로세스를 거칩니다. 이 장치들은 -40°C에서 +125°C에 이르는 온도 범위에서 작동을 지원하므로 항공 전자 모듈, 고고도 플랫폼, 추진 제어 시스템 및 고온 산업 장비에서 흔히 볼 수 있는 가혹한 열 환경에서도 작동할 수 있습니다. AEC-Q100 1등급 규격에 따라 제작 및 테스트되었습니다.

방사선에 노출되는 응용 제품을 지원하기 위해 Everspin은 1Mrad 이상의 총 이온화 선량(TID) 성능, 단일 이벤트 효과(SEE) 테스트 및 관련 작동 제한 데이터를 자세히 설명하는 방사선 특성화 보고서를 제공합니다. 이 보고서는 시스템 설계자가 방사선 환경에서 예측 가능한 동작을 요구하는 우주, 항공 우주, 의료 및 기타 전략적 등급 프로그램에 사용되는 부품을 평가하는 데 도움이 됩니다.

PERSYST xSPI MRAM 제품군의 고신뢰성 확장 제품인 이 장치는 레거시 FRAM, SRAM 및 nvSRAM 기반 시스템을 현대화하기 위한 원활한 경로를 제공합니다. 무제한에 가까운 내구성과 즉각적인 비휘발성을 갖춘 이 장치는 Flash 및 EEPROM 기반 솔루션과 관련된 복잡성을 제거하여 펌웨어 개발을 간소화하는 동시에 장기적인 시스템 복원력을 향상시킵니다. 견고한 설계, 향상된 차폐 기능, 그리고 온도 및 방사선 조건 전반에 걸친 예측 가능한 성능의 조합은 신뢰성을 타협할 수 없는 설계자에게 큰 도움이 됩니다.