PQFN 패키지의 GaN FET

EPC GaN FET는 고밀도 전력 변환에 적합한 소형 설계로 뛰어난 성능을 제공합니다.

PQFN 패키지의 EPC GaN FET 이미지 EPC의 PQFN 패키지로 제공되는 질화갈륨(GaN) FET는 고밀도 전력 변환에 적합한 소형 설계로 뛰어난 성능을 제공합니다. 이러한 장치는 매우 낮은 온 저항, 낮은 게이트 전하, 최소한의 스위칭 손실을 제공하여 기존 실리콘 MOSFET보다 더 높은 효율과 더 빠른 스위칭 속도를 구현합니다.

최대 200V의 전압 정격과 일부 부품의 400A를 넘는 펄스 전류 용량을 갖춘 이러한 GaN FET는 모터 구동, 로봇 공학, 고성능 컴퓨팅과 같은 까다로운 응용 분야에 적합합니다.

특징
  • 비용 효율적
  • MOSFET보다 더 높은 성능
    • 빠름
    • 소형
    • 더 높은 전류
  • 사용 편의성
    • 실장 면적 호환성으로 설계 유연성 극대화
  • 우수한 열
    • 노출된 상단
    • 낮은 열 저항
응용 분야
  • AC/DC 충전기
  • 고주파 DC/DC 컨버터
  • 모터 구동
  • 태양광 MPPT
  • D급 오디오

GaN FETs in PQFN Packages

이미지제조업체 부품 번호제품 요약FET 유형기술드레인 - 소스 전압(Vdss)주문 가능 수량가격세부 정보 보기
신제품
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게시 날짜: 2025-04-10