GaN 자동차 응용 제품

EPC의 AEC-Q101 인증 성공으로 차량용 전자 장치에 eGaN® 장치의 향상된 효율, 속도, 더 작아진 크기, 낮아진 비용을 최대한 이용할 수 있게 되었습니다.

최신 자동차의 특징과 기능은 전력을 많이 소비하고 전자적으로 구동되므로 기존 12V 전기 분배 버스에 추가적인 부담을 줍니다. 48V 버스 시스템의 경우, GaN 기술은 효율을 향상시키고 크기를 줄이며 시스템 비용을 낮춥니다.

조명 거리 및 범위(lidar)는 펄스형 레이저를 사용하여 자동차 주변에 대한 고해상도, 360°, 4차원 이미지를 신속하게 제공합니다. GaN 기술을 사용하면 비슷한 실리콘 MOSFET 부품에 비해 훨씬 높은 속도로 레이저 신호를 보낼 수 있습니다. GaN 기반 lidar를 사용하면 자율 주행차가 더 멀리, 더 빠르게, 더 효과적으로 볼 수 있으므로 일차적인 "전방 주시"가 가능합니다.

D급 오디오 시스템에서 오디오 성능은 FET 특징에 의해 영향을 받습니다. GaN FET는 보다 높은 충실도의 D급 오디오 증폭기를 실현합니다. 낮은 온스테이트 저항 및 낮은 정전 용량으로 인해 과도 상호 변조 왜곡(T-IMD)이 가능하며 빠른 스위칭 기능 및 제로 역회복 충전은 전체 고조파 왜곡(THD) 감소를 위한 보다 높은 출력 선형성 및 낮은 크로스오버 왜곡을 가능하게 합니다.

eGaN FET는 효율적으로 작동하며 낮은 비용으로 최대 무선 전력 시스템 효율을 실현합니다.

LED 고휘도 헤드램프의 경우, GaN 기술은 효율 및 열 관리를 향상시키고 시스템 비용을 감소시킵니다. 스위칭 주파수가 높을수록 AM 대역보다 높은 범위에서 작동할 수 있으며 EMI가 낮아집니다.