실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 및 다이오드

실리콘에 비해 많은 장점을 제공하는 Diodes Incorporated의 혁신적인 넓은 밴드갭(WBG) 소재

Diodes Incorporated의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 및 Diodes의 이미지Diodes Incorporated의 WBG 소재는 여러 측면에서 실리콘에 비해 우수합니다. SiC는 더 높은 항복 전압(BV)을 제공하는 실리콘보다 최대 5배(3kV) 더 높은 전압을 견딜 수 있습니다. SiC는 실리콘보다 최대 10배 더 빠르게 전환할 수 있어 전환 손실이 최소화됩니다. 열 전도율이 3배 더 뛰어나므로 전력 소모도 더 빠르고 방열판도 더 작아집니다. 따라서 SiC는 GaN보다 열 전도율과 패킹 밀도가 뛰어나 고전력 응용 분야에 더 적합합니다.

SiC MOSFET

실리콘 MOSFET에 비해 SiC MOSFET을 선택할 때 높은 스위칭 주파수, 인덕터, 커패시터, 필터, 변압기와 같은 구성 요소의 소형화와 같은 다양한 장점을 얻을 수 있습니다.

Diodes의 1200V SiC MOSFET은 최고 효율과 콤팩트한 설계를 요구하는 고전압 스위칭 전력 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 이 제품은 높은 출력 전류, 낮은 온스테이트 저항, 산업 표준 TO263-7, TO247, TO247-4 패키지를 특징으로 하며, 모터 구동기, DC/DC 컨버터, 태양광 인버터, EV 배터리 충전기 응용 제품에 적합합니다.

SiC 다이오드

Diodes SiC 쇼트키 다이오드의 범위는 650V ~ 1200V입니다. 이 제품은 절연 TO220, 표준 TO220 및 TO252 등 다양한 패키지로 제공되며, 효율, 견고성 및 빠른 출시 시간이 필요한 설계자에게 뛰어난 유연성을 제공합니다. Diodes의 자동차용 650V 및 1200V SiC 다이오드는 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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Silicon Carbide (SiC) Diodes

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게시 날짜: 2024-10-09