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DMTHxxxxSPGWQ 100V PowerDI 8080 자동차용 MOSFET
Diodes 자동차용 MOSFET은 고출력 BLDC 모터 및 DC/DC 컨버터를 대상으로 합니다.
Diodes는 40V ~ 80V 정격 MOSFET과 함께 초저 RDS(ON), 오토모티브 호환, 100V MOSFET으로 열 효율성이 뛰어난 PowerDI8080-5 패키지 MOSFET 포트폴리오를 확장합니다. 이 포트폴리오는 내연기관, 전기차 및 하이브리드 차량에 사용되는 고출력 BLDC 모터 및 DC/DC 컨버터를 대상으로 합니다.
배터리 차단 스위치, 차량용 충전기 및 48V 고출력 BLDC 모터 구동 장치와 같은 응용 분야에서는 100V 정격 DMTH10H1M7SPGWQ MOSFET의 최대 드레인-소스 온 저항 1.5mΩ을 활용하여 전도 손실을 줄이고 효율을 극대화할 수 있습니다.
DMTH4M40SPGWQ 40V 정격 걸윙 패키지 MOSFET은 최대 0.4mΩ RDS(ON)으로 업계에서 가장 낮습니다. 이 제품은 12V BLDC 모터 및 DC/DC 응용 제품에 이상적입니다. 60V 정격 MTH6M70SPGWQ는 24V 응용 제품을 위한 고성능을 제공합니다.
PowerDI8080-5 패키지의 PCB 실장 면적은 64mm2로, TO-263 패키지 형식이 차지하는 면적보다 40% 작습니다. 또한 오프보드 높이가 1.7mm로 TO-263(D2PAK)보다 63% 더 낮습니다.
다이와 단자 사이의 구리 클립 본딩은 0.3°C/W의 낮은 접합부-케이스 열 저항을 가능하게 하여 PowerDI8080-5가 847A의 전류를 처리하고 TO-263 패키지보다 8배 더 높은 전력 밀도를 제공할 수 있도록 합니다.
표준 준수 버전도 제공되며 산업 및 상업용 응용 제품에 적합합니다.
- PowerDI8080-5의 PCB 실장 면적은 64mm2로, TO-263 PCB 면적의 40%만 차지하므로 고전력 밀도 설계에 적합합니다.
- 낮은 패키지 유도 용량, 클립 설계로 기생 유도 용량 및 EMI 감소
- 걸윙 리드는 AOI를 사용하여 육안 검사를 가능하게 하고 고온 사이클링 신뢰성을 향상시킴
- 업계 최고 수준의 RDS(ON)을 활용하여 전력 소모가 많은 자동차 시스템에서 온 상태 손실을 줄이고 효율 극대화
- 1.5mΩ 온-저항으로 효율을 극대화하는 초저 RDS(ON)
- +0.3°C/W의 낮은 RthJC로 최대 847A의 전류 처리 가능
DMTHxxxxSPGWQ 100 V PowerDI 8080 Automotive MOSFET
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | DMTH6M70SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808 | 1926 - 즉시 | $9,616.00 | 세부 정보 보기 |
| | DMTH81M2SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80 | 1920 - 즉시 6000 - 공장 재고 | $9,891.00 | 세부 정보 보기 |
| | DMTH4M40LPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - 즉시 6000 - 공장 재고 | $3,153.15 | 세부 정보 보기 |
| | DMTH4M40SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - 즉시 4000 - 공장 재고 | $3,884.68 | 세부 정보 보기 |
| | DMTH4M72SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 | 0 - 즉시 | $6,666.00 | 세부 정보 보기 |
| | DMTH10H1M7SPGWQ-13 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80 | 0 - 즉시 | $3,267.81 | 세부 정보 보기 |
