Infineon Technologies

HyperRAM 메모리

HyperBus™ 인터페이스를 갖춘 Infineon의 고속 자가 리프레시 동적 RAM(DRAM)

Infineon HyperRAM 메모리 이미지Infineon 64Mb HyperRAM™ 장치는 확장된 스크래치패드 메모리를 필요로 하는 시스템을 위한 HyperBus™ 인터페이스를 갖춘 고속, 자가 리프레시 동적 RAM(DRAM)으로서, 외부적으로 빠르게 읽기 및 쓰기 작업을 확장하기 위한 확장 가능한 솔루션을 제공하여 제한된 RAM을 가진 SoC에 적합합니다. HyperRAM은 DDR 모드에서 최대 333MBps의 읽기/쓰기 대역폭을 제공합니다.

Infineon의 HyperRAM 메모리 제품군은 3V 전원 공급 및 64Mb 메모리를 기본 옵션으로 제공하며 다른 전압 및 메모리 옵션도 가능합니다. HyperRAM 메모리는 공간 절약형 8mm x 6mm 볼 그리드 어레이(BGA) 패키지로 제공됩니다. HyperFlash 메모리와 결합하면 두 제품은 동일한 HyperBus 인터페이스에 위치하여 일반 DRAM에 비해 인쇄 회로 기판(PCB)에 라우팅해야 하는 신호의 수를 상당히 줄입니다. 이로 인해 시스템 수준의 설계자에게 간단하고 비용 효과적인 솔루션을 제공합니다.

HyperRAM은 HyperFlash™ NOR 플래시 메모리와 공통 실장 면적을 공유합니다. HyperRAM은 -40°C ~ 105°C의 산업용을 능가하는 작동 온도 범위로 제공합니다. Infineon는 엄격한 테스트 및 검증 절차를 적용하여 모든 부품은 세계 수준의 요구 사항을 충족하고 AEC-Q100에 인증됩니다.

특징
  • 클록 속도(DDR)
    • 100MHz(KL-1)
  • 읽기/쓰기 대역폭
    • 200MBps(KL-1)
  • 공급 전압
    • 2.70V ~ 3.60V 공급 전압
  • 온도 범위
    • 산업용을 능가하는 -40°C ~ 105°C의 온도 범위
  • 차량용 지원
    • AEC-Q100 인증
    • PPAP 지원
  • 패키지
    • 24볼 BGA(6mm x 8mm)
응용 분야
  • 자동차 계측 클러스터
  • 인포테인먼트 시스템
  • 네트워킹 장치
  • 산업용 응용 제품
    • 통신 장비
    • FPGA

HyperRAM Memory

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게시 날짜: 2016-12-19