회로 보호

FLAT™ GDT

Bourns는 혁신적인 평면 패키지 설계의 이 2전극 가스 방전 튜브(GDT)를 제공하여 업계 표준을 설정합니다. FLAT™ 기술을 사용하는 모델 2015 계열은 고밀도 및 공간 제약적 PCB 응용 제품을 위한 부피 및 공간 절약형 솔루션을 제공합니다. 이 계열은 카트리지 또는 클램프 핏 응용 제품을 위한 무연 버전으로 제공됩니다. 표면 실장 버전은 수직 또는 수평 실장 구성으로 제공됩니다.

고강도 GDT

이 GDT는 주로 ITU 준수가 필요한 전기 통신 응용 제품을 대상으로 하지만 여러 기타 응용 제품에 사용하기에도 적합합니다. GDT는 30kA의 최대 8/20µs 서지 전류 정격을 갖춘 3전극 장치입니다. 모델 2028 및 2046은 카세트용 코어 패키지로 제공되거나 스루홀 응용 제품을 위한 방사상 리드형으로 제공됩니다. 옵션으로 제공되는 고장 단락 메커니즘은 열폭주 보호를 위해 사용됩니다.

저강도 GDT

고급 GDT 서지 조절기 장치는 ITU K.12에서 지정된 엄선된 성능 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

중강도 GDT

고급 GDT 서지 조절기 장치는 ITU K.12에서 지정된 엄선된 성능 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

긴 수명 GDT

긴 수명 GDT 서지 조절기 장치는 ITU K.12에서 지정된 GDT 성능을 충족하거나 그 이상의 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 GDT는 고강도, 중강도 및 저강도 버전으로 제공되며 긴 서비스 수명에 걸쳐 최종 제품의 뛰어난 성능을 필요로 하는 고객을 대상으로 합니다. ITU K.12 이외에도, 일부 고강도 긴 수명 GDT 계열은 RUS-80/IEEE 465.1, GR-1361/GR-974/1089 및 ITU K.20/21의 주요 고려 사항을 기반으로 합니다.

고전압 GDT

고전압 GDT 장치는 높은 수준의 분리를 필요로 하는 고객 및 응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다. 이 GDT 제품군은 800V ~ 6000V의 DC 항복 전압 범위로 제공됩니다.

고전류 GDT

고전류 GDT 서지 조절기 장치는 매우 큰 임펄스 방전 전류를 처리하도록 설계되었습니다. 일반적으로 서지 보호 장치(SPD)에 활용되는 이 GDT는 40kA ~ 100kA의 8/20μs 임펄스 전류 정격을 제공합니다.

고속 GDT

Bourns 라인의 고속 작동 GDT 서지 조절기 장치는 Bourns® TBU® 고속 보호기(HSP)와 함께 사용하도록 특별히 설계되었습니다. 이 GDT는 높은 상승 전압 과도 상태 비율을 TBU® HSP 피크 전압 임펄스 정격(V_imp) 미만으로 제한하도록 설계되었습니다.

LSP LED 보호 장치

Bourns에서 LED 조명 응용 분야를 위해 특별히 설계된 개방형 LED 션트 보호기 라인을 발표했습니다. Bourns® LSP 계열로 지정된 새로운 션트 보호기 제품군은 스트링 단위로 구성된 LED 조명 응용 제품이 더욱 견고하고 안정적으로 작동하도록 합니다. 대부분의 LED 설계는 20개 이상의 LED가 일련의 스트링으로 구성된 무접점 조명 기구를 포함합니다. 이 구성에서 개방형 LED는 전체 LED 스트링을 어둡게 만들 수 있어 성능이 저하되고 유지 관리 요청과 비용이 많이 드는 보상 및 반품의 발생 가능성이 높아집니다. Bourns® LSP 계열 션트 보호기를 LED 설계에 추가하면 작동하지 않는 LED 주변의 전류를 션트함으로써 스트링 내 영향을 받지 않는 조명이 발광 상태를 유지할 수 있습니다. 개방형 LED 션트 보호기의 새로운 LSP 계열은 전구, 조명 설비 및 배경 조명 시스템을 포함한 다양한 LED 조명 응용 제품을 위한 최적의 솔루션입니다.

MF-RM

Bourns®에서 Multifuse® 고분자 PTC 리셋 가능 퓨즈 MF-RM 계열을 제공합니다. 이 방사형 스루홀 계열은 최대 240VAC의 AC 주요 회로에서 작동할 수 있는 Bourns의 첫 번째 PPTC 제품군입니다.

Bourns는 리셋 가능한 과전류 보호 장치로 AC 회로 보호 수단을 제공하여 소비자 및 산업용 전자 기기 제조업체를 지원하기 위해 이 제품군을 출시했습니다.

AC 전압 정격 MF-RM 계열은 UL에 등재된 240VAC의 Vmax 및 50mA ~ 550mA의 유지 전류 같은 고유한 특징을 가집니다.

MF-MSMF

MF-NSMF

MF-PSMF

MF-USMF

MF-SMDF

MF-FSMF

MF-SM

MF-R

MF-SD013/250

Bourns의 MF-SD013/250은 트윈 250V 고분자 PTC 리셋 가능 퓨즈를 포함한 표면 실장 장치입니다. 이 제품은 장치 두 개를 하나의 하우징에 장착하여 소비자 회로 기판 면적을 50% 이상 줄인 매우 우수한 MF-SM013/250 장치를 기반으로 합니다.

MF-SD013/250은 팁과 링 과전류 보호 기능을 제공하고 ITU-T K.20, K.21 및 K.45뿐만 아니라 Telcordia GR-1089 인트라 빌딩 규정의 준수를 지원합니다. 또한, 본 제품은 다른 회로 보호 제품 조합을 사용하는 전체 회로 보호 솔루션의 일부로 사용할 수 있습니다.

낮은 정전 용량 및 고속 서지 보호

Bourns의 TBU® 장치는 실리콘 기반 반도체 리셋 가능 장치로 신호 경로를 따라 일렬로 설치합니다. TBU®(과도 상태 차단 장치)는 라인 전류가 TBU® 장치의 트리거 전류를 초과하면 약 1μs 내에 작동합니다. 작동 시 TBU® 장치는 일반적으로 라인 전류를 1mA 미만으로 제한합니다. 작동 시 TBU® 장치는 모든 시스템 전압과 서지를 포함한 그 밖의 모든 전압을 정격 제한치까지 차단합니다.

서지가 끝나고 전압이 Vreset 레벨로 떨어지면 TBU® 장치가 재설정됩니다. TBU® 장치는 DC 바이어스가 없거나 DC 바이어스 값이 Vreset 보다 낮은 회선(예: 무전원 신호 회선)에서는 자동으로 재설정됩니다. 회선의 정상 DC 바이어스가 Vreset보다 높으면 서지 후에도 TBU® 장치의 전압이 Vreset 아래로 떨어지지 않을 수 있습니다. 이런 경우 TBU 장치를 따로 재설정하거나, 자동 또는 수동으로 전원을 차단해야 합니다.

TBU 설계 키트

Bourns® TBU® 고속 보호기는 MOSFET 반도체 기술을 사용하여 구성된 회로 보호 장치입니다. 시스템에 직렬로 배치할 경우 TBU® 보호기는 라인을 통해 흐르는 전류를 모니터링합니다. 전류가 사전 설정된 수준을 초과하는 경우, TBU® 장치가 트리거되어 서지 발생 시 큰 파괴적 전압 또는 전류에 대한 효과적 장벽을 제공하므로 민감한 전자 부품을 보호할 수 있습니다.

MOV-07/10/14/20 계열

Bourns® MOV 제품 포트폴리오에서 조명, 전력 접점 및 전력 유도 같은 과전압 과도 상태를 방지하는 7mm, 10mm, 14mm 및 20mm 방사상 리드형 배리스터 장치를 제공합니다. 금속 산화물 배리스터는 18V ~ 1,800V의 배리스터 전압과 11V ~ 1,100V의 Vrms 전압을 선택할 수 있습니다. 이 제품은 고전류 처리, 고에너지 흡수 기능 및 정격 제한치까지 과도 상태 오류를 방지하는 빠른 응답 시간을 제공합니다.

PTVS3-xxxC-TH 계열 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS3-xxxC-TH 계열 고전류 양방향 TVS 다이오드는 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 이 장치는 양방향 포트 보호를 제공하며 58V 및 76V의 스탠드오프 전압 정격으로 제공됩니다.

이 장치는 RoHS*를 준수하며 UL 인증을 대기 중에 있습니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS3-xxxC-TH 계열 고전압, 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS3-xxxC-TH 고전압 양방향 TVS 다이오드 계열은 AC 회선 및 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다.

이 장치는 RoHS*를 준수합니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS6-xxxC-TH 계열 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS6-xxxC-TH 계열 고전류 양방향 TVS 다이오드는 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 이 장치는 양방향 포트 보호를 제공하며 58V 및 76V의 스탠드오프 전압 정격으로 제공됩니다.

이 장치는 RoHS*를 준수하며 UL 인증을 대기 중에 있습니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS6-xxxC-TH 계열 고전압, 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS6-xxxC-TH 고전압 양방향 TVS 다이오드 계열은 AC 회선 및 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다.

이 장치는 RoHS*를 준수합니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS10-xxxC-TH 계열 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS10-xxxC-TH 계열 고전류 양방향 TVS 다이오드는 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 이 장치는 양방향 포트 보호를 제공하며 58V 및 76V의 스탠드오프 전압 정격으로 제공됩니다.

이 장치는 RoHS*를 준수하며 UL 인증을 대기 중에 있습니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS10-xxxC-TH 계열 고전압, 고전류 TVS 다이오드

모델 PTVS10-xxxC-TH 고전압, 고전류 양방향 TVS 다이오드 계열은 AC 회선 및 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다.

이 장치는 RoHS*를 준수합니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS3-xxxC-SH 계열 고전류 TVS 다이오드

PTVS3-xxxC-SH 범위의 고전류 양방향 TVS 다이오드는 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 이 장치는 양방향 포트 보호를 제공하며 58V 및 76V의 스탠드오프 전압 정격으로 제공됩니다.

이 장치는 RoHS*를 준수합니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

PTVS10-xxxC-SH 계열 고전류 TVS 다이오드

PTVS10-xxxC-SH 범위의 고전류 양방향 TVS 다이오드는 고전력 DC 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 이 장치는 양방향 포트 보호를 제공하며 58V 및 76V의 스탠드오프 전압 정격으로 제공됩니다.

이 장치는 RoHS*를 준수합니다. 또한 IEC 61000-4-5 8µs/20µs 전류 서지 요구 사항을 충족합니다.

고전류 양방향 전력 TVS

Bourns에서 PTVS 계열의 고전류 양방향 TVS 다이오드를 소개합니다. 이 제품은 교류 회선 보호 및 고출력 직류 버스 클램핑 응용 제품에 사용하도록 설계되었습니다. 실리콘 기술이 적용된 전력 TVS 제품은 일반적으로 경쟁 관계에 있는 MOV 기술에 비해 서지 상태에서 더 낮은 클램핑 전압을 제공합니다. 이 제품은 스루홀 패키지로 58V ~ 470V에서 양방향 포트 보호를 제공하며 RoHS 및 UL 규정을 비롯하여 IEC 61000-4-5 8/20μs 전류 서지 요구 사항도 충족합니다.

TCS-DL 계열

TCS™ DL 계열 고속 보호기 제품은 정합이 뛰어난 이중, 낮은 저항, 양방향 및 초고속 과도 전류 억제기를 포함합니다. Bourns® TCS™ DL 장치는 최대 전류를 안전한 수준으로 제한함으로써 고속 데이터 전송 차동 회선에 대한 뛰어난 보호 기능을 제공하여 단락, 유도, 낙뢰 서지로 인해 발생하는 장애에 대비합니다.

TCS™ 고속 보호기는 대개 낮은 정전 용량 TVS 장치와 결합할 때 사용하며, 보호받지 못하는 고속 저전압 구동기 및 수신기 부품에 손상을 줄 수 있는 서지가 발생하는 경우 과도한 전압과 전류에 극도로 낮은 통과 허용 에너지 장벽을 형성합니다.

TCS™ 고속 보호기는 RoHS 및 무연 납땜 리플로 프로파일과 같은 산업 표준 요구 사항을 충족하는 공간 절약형 표면 실장 DFN 패키지로 제공됩니다.

고속 작동 표면 실장 퓨즈

SinglFuse™ 제품 라인은 광범위한 회로를 위한 과전류 보호를 제공하도록 설계되었으며 해당 제품군은 70개의 다양한 부품 번호로 구성되었습니다. 이 제품은 세 가지 산업 표준 크기(0402, 0603, 1206)로 제공됩니다.

지연형 표면 실장 퓨즈

SinglFuse™ 제품 라인은 광범위한 회로를 위한 과전류 보호를 제공하도록 설계되었으며 해당 제품군은 70개의 다양한 부품 번호로 구성되었습니다. 이 제품은 세 가지 산업 표준 크기(0402, 0603, 1206)로 제공됩니다.

인증된 EMC 준수 RS-485
인터페이스 설계 도구

Analog Devices와 Bourns는 협력을 통해 IEC61000-4-2 정전기 방전(ESD), IEC61000-4-4 전기적 급속 과도(EFT) 및 IEC61000-4-5 서지에 대해 최대 레벨 4 보호 수준을 제공하는 업계 최초의 EMC 준수 RS-485 인터페이스 설계 도구를 공동 개발함으로써 시스템 지향 솔루션 제품군을 확장했습니다. 기판 실장형으로 세 가지 보호 솔루션을 제공하는 EVAL-CN0313-SDPZ 기판은 ADI의 ADM3485E, 3.3V RS-485 트랜시버와 Bourns® TBU® 고속 보호기, TISP® 사이리스터 서지 보호기, TVS 다이오드 및 가스 방출 튜브를 통합하므로 고객이 안심하고 시간을 절약하며 최신 RS-485 설계를 시작할 수 있습니다. 이 기판은 엔지니어에게 설계 및 통합 파일, 장치 구동기 및 평가 하드웨어를 제공합니다.

RS-485 평가 기판

Bourns에서 RS-485 기반 응용 제품을 위한 2개 평가 기판을 출시했습니다. Bourns® TBU® 고속 보호기(HSP), GDT, TVS 다이오드 및 MOV 제품을 사용한 이 기판은 RS-485 직렬 장치 포트에서 회로 보호를 간단하게 평가하기 위한 설계 자료로 개발되었습니다. RS-485 포트 인터페이스에 대한 산업 표준을 충족하기 위해 기판 두 개가 서로 다른 평가 방법을 제공합니다. Bourns® RS-485EVALBOARD1은 Bourns® TBU® 고속 보호기(HSP) 2개, Bourns® 고속 작동 GDT 2개와 Bourns® TVS 다이오드 2개를 포함하고 있으며, Bourns® RS-485EVALBOARD2는 Bourns® TBU® 고속 보호기(HSP), MOV 및 TVS 제품을 사용합니다.

TBU 설계 키트

Bourns® TBU® 고속 보호기는 MOSFET 반도체 기술을 사용하여 구성된 회로 보호 장치입니다. 시스템에 직렬로 배치할 경우 TBU® 보호기는 라인을 통해 흐르는 전류를 모니터링합니다. 전류가 사전 설정된 수준을 초과하는 경우, TBU® 장치가 트리거되어 서지 발생 시 큰 파괴적 전압 또는 전류에 대한 효과적 장벽을 제공하므로 민감한 전자 부품을 보호할 수 있습니다.

PortNote® 솔루션

PortNote® 솔루션 및 설계 키트를 통해 엔지니어는 일반 응용 프로그램에서 쉽고 효율적인 방법으로 회로 보호 장치를 볼 수 있습니다. 각 PortNote® 설계 키트는 5개의 PortNote® 솔루션 회로를 제작하기에 충분한 Bourns® 제품을 포함하고 있습니다.

데이터 통신 시장을 위해 Bourns는 이더넷, POE, USB와 같은 일반 인터페이스를 위한 회로 보호 설계 키트를 제공합니다. 이 설계 키트는 엔지니어에게 ESD, 서지 및 회로 단락을 위한 부품을 제공합니다.

오디오/비디오 시장을 위해 Bourns는 HDMI 및 VHF/UHF 동축과 같은 일반 미디어 입력을 위한 회로 보호 설계 키트를 만들었습니다. PortNote® 솔루션 설계 키트는 ESD 및 서지를 위한 회로 보호 부품을 제공합니다.

전기 통신 시장을 위해 Bourns는 ISDN, VDSL, T1/E1 및 RJ11 포트와 같은 일반 전기 통신 인터페이스를 위한 회로 보호 설계 키트를 만들었습니다. PortNote® 솔루션 설계 키트는 엔지니어에게 서지 및 전력 접점 보호 포트 조립에 필요한 부품을 제공합니다.