HMC1126 GaAs, pHEMT, 저잡음 증폭기

400MHz ~ 52GHz에서 작동하는 Analog Devices의 HMC1126 GaAs, pHEMT, 저잡음 증폭기

Analog Devices의 HMC1126 GaAs, pHEMT, 저잡음 증폭기 이미지ADI의 HMC1126ACEZ는 0.4GHz ~ 52GHz에서 작동하는 갈륨 비소(GaAs), 유사형 고 전자 이동도 전송(pHEMT), 모놀리식 극초단파 집적 회로(MMIC), 분배 전력 증폭기입니다. HMC1126ACEZ 증폭기의 입출력(I/O)은 50Ω까지 내부적으로 일치하므로 다중칩 모듈(MCM)로의 통합이 용이합니다. 모든 데이터는 길이 0.31mm(12mils), 직경 0.025mm(1mil)의 두개 접속 전선을 통해 연결된 칩으로부터 전달됩니다.

HMC1126-EVALZ는 HMC1126ACEZ 평가용 4단 인쇄 회로 기판(PCB)입니다. 상단 레이어와 첫 번째 내부 레이어 사이의 기판은 두께가 12mils이며 Rogers 4003C로 만들어졌습니다. HMC1126-EVALZ의 RFIN 및 RFOUT 포트는 1.85mm 암 동축 커넥터로 채워지며 각 RF 트레이스는 50Ω 특성 임피던스를 갖습니다. HMC1126-EVALZ는 HMC1126ACEZ의 전체 -40°C ~ +85°C 작동 온도 범위에서 사용하기에 적합한 구성 요소로 채워져 있습니다.

특징
  • 최대 52GHz의 광대역
  • 12dB 이득
  • 3.5dB 잡음 지수
  • 28.5dBm 출력 IP3, 일반 증폭기보다 10dB 높음
응용 분야
  • 항공 우주 및 방위: 전자전
  • 계측: 테스트 장비
  • 통신: 5G
  • 테스트 기기
  • 극초단파 무선 통신 및 VSAT
  • 군사 및 우주
  • 통신 인프라
  • 광섬유

HMC1126 GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier

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게시 날짜: 2022-03-11