Analog Devices의 ADRF5020은 실리콘 공정을 사용하여 제조된 범용 단극 쌍투(SPDT) 스위치입니다. 이 제품은 3mm × 3mm, 20리드 랜드 그리드 어레이(LGA) 패키지로 제공하며 100MHz ~ 30GHz에서 높은 절연 및 낮은 삽입 손실을 제공합니다. 이 광대역 스위치는 +3.3V 및 -2.5V의 이중 공급 전압을 필요로 하며 CMOS/LVTTL 논리 호환 제어를 제공합니다. 응용 분야에는 RF 및 극초단파 테스트 및 측정 장비, PIN 다이오드 기반 스위치 대체품, 군사용 무선 통신, 레이더, 전파 방해 시스템, 5G 셀 방식 인프라 및 RF 프런트 엔드가 포함됩니다.
| 특징 |
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- 초광대역 주파수 범위: 100MHz ~ 30GHz
- 낮은 삽입 손실 및 평판 특성
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- 고급 실리콘 기술로 제조됨
- STM 유형의 콤팩트한 RoHS 패키지
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ADRF5130은 리드리스, 표면 실장 패키지로 제공되는 고전력, 반사형, 0.7GHz ~ 3.5GHz, 실리콘, 단극 쌍투(SPDT) 스위치입니다. 이 스위치는 LTE(Long-term evolution) 기지국 같은 고전력 및 셀 방식 인프라 응용 제품에 적합합니다. ADRF5130은 43dBm(최대)의 높은 전력 처리, 0.6dB의 낮은 삽입 손실, 68dMm(통상)의 입력 3차 교차, 46dBm의 0.1dB 압축(P0.1dB)을 제공합니다. 온칩 회로망은 단일, 5V의 포지티브 공급 전압 및 1.06mA의 통상 공급 전류로 작동하므로 ADRF5130은 PIN 다이오드 기반 스위치 대안으로 적합합니다. 이 장치는 RoHS 준수, 소형 24리드, 4mm × 4mm LFCSP 패키지로 제공합니다. 응용 분야에는 LNA 보호를 위한 셀 방식 인프라 MIMO 시스템 RF 프런트 엔드, 셀 방식 리피터 안테나 스위치, 휴대용 및 모듈식 RF 테스트/측정 장비 및 고전력 RF 응용 제품에서 PIN 다이오드 대체품이 포함됩니다.
| 특징 |
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- 44W 피크 전력 관리
- 낮은 공급 전류 및 전압
- 바이어스 생성을 위한 외부 부품 불필요
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- 고급 실리콘 기술로 제조됨
- 소형 RoHS SMT 패키지
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Analog Devices의 ADRF5020은 실리콘 공정을 사용하여 제조된 범용 단극 쌍투(SPDT) 스위치입니다. 이 제품은 3mm × 3mm, 20리드 랜드 그리드 어레이(LGA) 패키지로 제공하며 100MHz ~ 30GHz에서 높은 절연 및 낮은 삽입 손실을 제공합니다. 이 광대역 스위치는 +3.3V 및 -2.5V의 이중 공급 전압을 필요로 하며 CMOS/LVTTL 논리 호환 제어를 제공합니다. 응용 분야에는 RF 및 극초단파 테스트 및 측정 장비, PIN 다이오드 기반 스위치 대체품, 군사용 무선 통신, 레이더, 전파 방해 시스템, 5G 셀 방식 인프라 및 RF 프런트 엔드가 포함됩니다.
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