DataFlash® E 계열

Adesto Technologies의 DataFlash 'E' 계열은 비휘발성 메모리 장치의 새로운 제품군으로서 시스템 효율 향상과 시스템 비용 절감을 위해 낮은 전력 요구 사항 및 스마트 기능을 제공합니다. DataFlash E 계열은 넓은 V_CC 전압 및 '최대 절전' 모드와 같은 업계 최초의 기능을 포함하여 광범위한 기능과 옵션을 제공합니다. 또한 E 계열은 새로운 '스마트' 기능을 포함하고 있어, 많은 블록 삭제가 필요하지 않은 효율적 '바이트 쓰기' 및 업계 표준의 '삭제-프로그램-일시 중지-다시 시작' 명령과 같은 시스템 성능을 향상시킬 수 있습니다.

바이트-쓰기: 직렬 플래시 장치의 진정한 직렬 E²PROM 기능

Adesto의 E 계열 장치에서는 프로그래머가 단일 소프트웨어 명령을 실행하여 단일 바이트를 삭제/작성할 수 있습니다. 이는 4Kb 블록을 삭제해야 하는 표준 직렬 플래시 제품과 다른 점입니다. 즉 호스트 컨트롤러에서 관리해야 하는 메모리가 적기 때문에 우선 순위가 더 높은 작업을 수행할 수 있습니다. 관리할 메모리가 적다는 것은 또한 컨트롤러의 SRAM에서 소프트웨어 실장 면적이 감소하기 때문에 설계자에게 보다 작은 마이크로 컨트롤러를 사용하거나 또는 외부 SRAM 사용을 중지하는 유연성을 제공할 수 있음을 의미합니다.

최대 절전 모드

E 계열은 최대 절전 모드를 위한 간단한 소프트웨어 지시를 통해 최대 에너지 절약을 제공합니다. E 계열에서 제공되는 절전 모드는 나노 암페어 단위로 측정되며 다른 경쟁 제품과 비교하여 그 효과가 매우 뛰어납니다. 설계자는 소프트웨어로 전원 차단을 제어하여 저드롭아웃(LDO) 전압 조정기 또는 트랜지스터 같은 추가 하드웨어 부품을 제거할 수 있습니다.

확장된 V_CC 작동

모바일 또는 배터리 구동 장치의 경우, DataFlash E 계열 제품은 비정격으로 실행하여 1.65V ~ 3.6V 무정전 상태에서 배터리 수명을 최대화할 수 있습니다. 표준 V_CC 부품과 비교하여, 확장된 전압 범위는 저드롭아웃(LDO) 전압 조정기를 제거하면서 배터리 수명을 1,000% 최대화할 수 있습니다.

저전력 읽기

보다 작고, 느린 MCU/CPU에서 실행되고 높은 MHz 범위에서 작동하지 않는 응용 제품의 경우, DataFlash는 표준 읽기 명령 옵션과 비교하여 10MHz 이하의 클록 주파수 기준에서 일반적으로 20%+의 에너지 절감을 구동할 수 있는 저전력 읽기 명령을 지원할 수 있습니다.

E 계열 제품군은 디지털 음성, 영상, 프로그램 코드, 데이터 스토리지 및 기타 메모리 응용 제품에 적합한 다양한 밀도를 포함합니다.

특징
1Mbit ~ 64Mbit 밀도 소형 페이지 어레이 아키텍처 확장된 VCC 작동, 연속 1.65V ~ 3.6V 및 2.3V ~ 3.6V 업계 최초의 직렬 플래시 단일 명령 바이트 삭제-수정-쓰기 작동 각각 개별적으로 지울 수 있는 페이지 256/264바이트 또는 1024/1056바이트 이중 온칩, 독립형 SRAM 버퍼 플래시 메모리 페이지 크기와 같은 SRAM 버퍼 크기 감소된 CPU 오버헤드를 위한 다양한 명령 지시 세트		향상된 저전력 읽기 작동 제로 전원 차단 옵션: <500nA 대기 모드 소프트웨어 리셋 기능 동시 읽기/쓰기 작동을 위한 삭제-프로그램-일시 중지-다시 시작 명령 104MHz, 85MHz SPI, 이중 및 쿼드 I/O 지원 개별 섹터 보호 및 ‘OTP’ 섹터 잠금 128B OTP 보안 레지스터 페이지당 최소 100,000회 주기 JEDEC 제조업체 및 장치 ID 표준