단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호
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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
988
재고 있음
1 : ₩4,554.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5m옴 @ 75A, 10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4110
UMWIRFB4110
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
UMW
884
재고 있음
1 : ₩4,227.00000
튜브
*
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5m옴 @ 75A, 10V
4V @ 250µA
-
±20V
-
-
370W(Tc)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4127PBFXKMA1
IRFB4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
6,713
재고 있음
1 : ₩4,554.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5m옴 @ 75A, 10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
IRFB4127PBFXKMA1
IRFB4110GPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Infineon Technologies
0
재고 있음
단종
튜브
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5m옴 @ 75A, 10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
보기
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단일 FET, MOSFET

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.