단일 FET, MOSFET

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	제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
	IPB048N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Infineon Technologies	1,503 재고 있음	1 : ₩8,051.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩3,025.96400 테이프 및 릴(TR)	OptiMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	150 V	120A(Tc)	8V, 10V	4.8m옴 @ 60A, 10V	4.6V @ 264µA	100 nC @ 10 V	±20V	7800 pF @ 75 V	-	300W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
	IPB048N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Infineon Technologies	0 재고 있음 리드 타임 확인	1 : ₩10,284.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩4,199.63500 테이프 및 릴(TR)	OptiMOS™ 5	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	150 V	120A(Tc)	10V	4.8m옴 @ 100A, 10V	4.9V @ 255µA	84 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 75 V	-	313W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB

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단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.