제품 색인 > 이산 소자 반도체 제품 > 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

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FQP13N10
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포장 계열 부품 현황 FET 유형 기술 드레인 - 소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) Rds On(최대) @ Id, Vgs Id 기준 Vgs(th)(최대) 제이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds FET 특징 내전력(최대) 작동 온도 실장 유형 공급 장치 패키지 패키지/케이스
   
FQP13N10 Datasheet FQP13N10 - ON Semiconductor FQP13N10-ND MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 1,131 - 즉시
7,000 - 공장 재고 ?
이용 가능: 1,131
₩1,386.00000 1 최소 : 1 튜브? QFET® 유효 N채널 MOSFET(금속 산화물) 100V 12.8A(Tc) 10V 180m옴 @ 6.4A, 10V 4V @ 250µA 16nC @ 10V ±25V 450pF @ 25V
-
65W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 스루홀 TO-220-3 TO-220-3
FQP13N10L Datasheet FQP13N10L - ON Semiconductor FQP13N10L-ND MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 7,987 - 즉시 이용 가능: 7,987 ₩1,569.00000 1 최소 : 1 튜브? QFET® 유효 N채널 MOSFET(금속 산화물) 100V 12.8A(Tc) 5V, 10V 180m옴 @ 6.4A, 10V 2V @ 250µA 12nC @ 5V ±20V 520pF @ 25V
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65W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 스루홀 TO-220-3 TO-220-3
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17:40:58 12-11-2018