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제품 색인 > 이산 소자 반도체 제품 > 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

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6 (남은 유사 제품 수량)
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BSC018NE2LS
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부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
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KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 FET 유형 기술 드레인 - 소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) Rds On(최대) @ Id, Vgs Id 기준 Vgs(th)(최대) 제이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds FET 특징 내전력(최대) 작동 온도 실장 유형 공급 장치 패키지 패키지/케이스
   
BSC018NE2LSIATMA1 Datasheet BSC018NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1TR-ND BSC018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 39주
₩689.47200 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
OptiMOS™ 활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2500pF @ 12V
-
2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-6 8-PowerTDFN
BSC018NE2LSIATMA1 Datasheet BSC018NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1CT-ND BSC018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 4,370 - 즉시 이용 가능: 4,370 ₩1,763.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
OptiMOS™ 활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2500pF @ 12V
-
2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-6 8-PowerTDFN
BSC018NE2LSIATMA1 Datasheet BSC018NE2LSIATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1DKR-ND BSC018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 4,370 - 즉시 이용 가능: 4,370 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
OptiMOS™ 활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 36nC @ 10V ±20V 2500pF @ 12V
-
2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-6 8-PowerTDFN
BSC018NE2LSATMA1 Datasheet BSC018NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1TR-ND BSC018NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 39주
₩667.92720 5,000
비재고
최소 : 5,000
테이프 및 릴(TR) OptiMOS™ 활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2800pF @ 12V
-
2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-1 8-PowerTDFN
BSC018NE2LSATMA1 Datasheet BSC018NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1CT-ND BSC018NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 0 이용 가능: 0
Digi-Key에서 공급 중단
-
컷 테이프(CT)
다른 포장형태
OptiMOS™ Digi-Key에서 공급 중단 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2800pF @ 12V
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2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-1 8-PowerTDFN
BSC018NE2LSATMA1 Datasheet BSC018NE2LSATMA1 - Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1DKR-ND BSC018NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 0 이용 가능: 0 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
다른 포장형태
OptiMOS™ Digi-Key에서 공급 중단 N채널 MOSFET(금속 산화물) 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V 2800pF @ 12V
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2.5W(Ta), 69W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 PG-TDSON-8-1 8-PowerTDFN
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