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광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

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최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 채널 개수 전압 - 분리 전류 전달비(최소) 전류 전달비(최대) 턴온/턴오프 시간(통상) 상승/하강 시간(통상) 입력 유형 출력 유형 전압 - 출력(최대) 전류 - 출력/채널 전압 - 순방향(Vf)(통상) 전류 - DC 순방향(If)(최대) Vce 포화(최대) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSETR-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 16주
₩116.73520 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSECT-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 261 - 즉시 이용 가능: 261 ₩514.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSEDKR-ND TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 261 - 즉시 이용 가능: 261 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSETR-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 55,000 - 즉시 이용 가능: 55,000 ₩121.40480 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSECT-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 55,492 - 즉시 이용 가능: 55,492 ₩538.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSEDKR-ND TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 55,492 - 즉시 이용 가능: 55,492 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)TR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩147.66900 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)CT-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,007 - 즉시 이용 가능: 12,007 ₩587.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)DKR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,007 - 즉시 이용 가능: 12,007 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)TR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩147.66900 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)CT-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 13,742 - 즉시 이용 가능: 13,742 ₩587.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)DKR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 13,742 - 즉시 이용 가능: 13,742 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLETR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 24,000 - 즉시 이용 가능: 24,000 ₩149.81033 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLECT-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 26,346 - 즉시 이용 가능: 26,346 ₩587.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLEDKR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 26,346 - 즉시 이용 가능: 26,346 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLETR-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 34,934 - 즉시 이용 가능: 34,934 ₩184.05520 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLECT-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 34,934 - 즉시 이용 가능: 34,934 ₩722.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLEDKR-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 34,934 - 즉시 이용 가능: 34,934 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP383(D4BLLTL,E Datasheet TLP383(D4BLLTL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTLETR-ND TLP383(D4BLLTL,E OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L 81,000 - 즉시 이용 가능: 81,000 ₩192.61333 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 5000Vrms 200% @ 500µA 400% @ 500µA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO
TLP383(D4BLLTL,E Datasheet TLP383(D4BLLTL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTLECT-ND TLP383(D4BLLTL,E OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L 83,930 - 즉시 이용 가능: 83,930 ₩759.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 1 5000Vrms 200% @ 500µA 400% @ 500µA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO
TLP383(D4BLLTL,E Datasheet TLP383(D4BLLTL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTLEDKR-ND TLP383(D4BLLTL,E OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L 83,930 - 즉시 이용 가능: 83,930 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 5000Vrms 200% @ 500µA 400% @ 500µA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO
TLP785(GR-TP6,F) Datasheet TLP785(GR-TP6,F) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6F)TR-ND TLP785(GR-TP6,F) OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 2,000 - 즉시 이용 가능: 2,000 ₩194.55900 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.15V 60mA 400mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
TLP785(GR-TP6,F) Datasheet TLP785(GR-TP6,F) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6F)CT-ND TLP785(GR-TP6,F) OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 2,252 - 즉시 이용 가능: 2,252 ₩636.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.15V 60mA 400mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
TLP785(GR-TP6,F) Datasheet TLP785(GR-TP6,F) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6F)DKR-ND TLP785(GR-TP6,F) OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 2,252 - 즉시 이용 가능: 2,252 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 1 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.15V 60mA 400mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
TLP188(TPL,E Datasheet TLP188(TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(TPLETR-ND TLP188(TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 63,000 - 즉시 이용 가능: 63,000 ₩330.38267 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 350V 50mA 1.25V 50mA 400mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
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21:55:26 4-16-2021