KRW | USD
제품 색인 > 절연기 > 광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

결과: 1,333
1,333 항목 남음
검색 기준 옵션:
포장
지우기
계열
지우기
부품 현황
지우기
채널 개수
지우기
전압 - 분리
지우기
전류 전달비(최소)
지우기
전류 전달비(최대)
지우기
턴온/턴오프 시간(통상)
지우기
상승/하강 시간(통상)
지우기
입력 유형
지우기
출력 유형
지우기
전압 - 출력(최대)
지우기
전류 - 출력/채널
지우기
전압 - 순방향(Vf)(통상)
지우기
전류 - DC 순방향(If)(최대)
지우기
Vce 포화(최대)
지우기
작동 온도
지우기
실장 유형
지우기
패키지/케이스
지우기
공급 장치 패키지
지우기
검색 기준 더 보기
검색 기준 감추기
검색결과 정렬 기준:
수량별 가격 보기:
  • 재고 현황
  • 사용 가능 미디어
  • 환경
  • MARKETPLACE 제품
1,333 항목 남음

제조업체
페이지당 검색 결과
페이지 1/54
|< < 1 2 3 4 5 >|
부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
단가
KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 채널 개수 전압 - 분리 전류 전달비(최소) 전류 전달비(최대) 턴온/턴오프 시간(통상) 상승/하강 시간(통상) 입력 유형 출력 유형 전압 - 출력(최대) 전류 - 출력/채널 전압 - 순방향(Vf)(통상) 전류 - DC 순방향(If)(최대) Vce 포화(최대) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)TR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 53,986 - 즉시 이용 가능: 53,986 ₩142.84667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)CT-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 53,986 - 즉시 이용 가능: 53,986 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)DKR-ND TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 53,986 - 즉시 이용 가능: 53,986 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)TR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩142.84667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)CT-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 16,310 - 즉시 이용 가능: 16,310 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)DKR-ND TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 16,310 - 즉시 이용 가능: 16,310 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLETR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩144.91800 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLECT-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 17,283 - 즉시 이용 가능: 17,283 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLEDKR-ND TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 17,283 - 즉시 이용 가능: 17,283 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(BL-TPL,E Datasheet TLP183(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPLETR-ND TLP183(BL-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩144.91800 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(BL-TPL,E Datasheet TLP183(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPLECT-ND TLP183(BL-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,083 - 즉시 이용 가능: 14,083 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(BL-TPL,E Datasheet TLP183(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPLEDKR-ND TLP183(BL-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,083 - 즉시 이용 가능: 14,083 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLETR-ND TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩144.91800 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLECT-ND TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,967 - 즉시 이용 가능: 14,967 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLEDKR-ND TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,967 - 즉시 이용 가능: 14,967 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP293(GR-TPL,E Datasheet TLP293(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GR-TPLETR-ND TLP293(GR-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 17,500 - 즉시 이용 가능: 17,500 ₩178.04440 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GR-TPL,E Datasheet TLP293(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GR-TPLECT-ND TLP293(GR-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 18,098 - 즉시 이용 가능: 18,098 ₩698.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GR-TPL,E Datasheet TLP293(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GR-TPLEDKR-ND TLP293(GR-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 18,098 - 즉시 이용 가능: 18,098 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(BL-TPL,E Datasheet TLP293(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BL-TPLETR-ND TLP293(BL-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 10,000 - 즉시 이용 가능: 10,000 ₩178.04440 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(BL-TPL,E Datasheet TLP293(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BL-TPLECT-ND TLP293(BL-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 12,895 - 즉시 이용 가능: 12,895 ₩698.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(BL-TPL,E Datasheet TLP293(BL-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BL-TPLEDKR-ND TLP293(BL-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 12,895 - 즉시 이용 가능: 12,895 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLETR-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 2,500 - 즉시 이용 가능: 2,500 ₩178.04440 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLECT-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 4,506 - 즉시 이용 가능: 4,506 ₩698.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP293(GB-TPL,E Datasheet TLP293(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(GB-TPLEDKR-ND TLP293(GB-TPL,E OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 4,506 - 즉시 이용 가능: 4,506 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP184(GB-TPL,E) Datasheet TLP184(GB-TPL,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB-TPLE)TR-ND TLP184(GB-TPL,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 27,000 - 즉시 이용 가능: 27,000 ₩184.25167 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs AC, DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
페이지당 검색 결과
페이지 1/54
|< < 1 2 3 4 5 >|

23:56:19 1-27-2021