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제품 색인 > 절연기 > 광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

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부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
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KRW 		최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 채널 개수 전압 - 분리 전류 전달비(최소) 전류 전달비(최대) 턴온/턴오프 시간(통상) 상승/하강 시간(통상) 입력 유형 출력 유형 전압 - 출력(최대) 전류 - 출력/채널 전압 - 순방향(Vf)(통상) 전류 - DC 순방향(If)(최대) Vce 포화(최대) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSETR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 37,500 - 즉시 이용 가능: 37,500 ₩115.37640 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSECT-ND
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TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 44,518 - 즉시 이용 가능: 44,518 ₩551.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSEDKR-ND
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TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 44,518 - 즉시 이용 가능: 44,518 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSETR-ND
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TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 12,500 - 즉시 이용 가능: 12,500 ₩119.99160 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSECT-ND
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TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 13,400 - 즉시 이용 가능: 13,400 ₩564.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(BLL-TP,SE Datasheet TLP291(BLL-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TPSEDKR-ND
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TLP291(BLL-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 13,400 - 즉시 이용 가능: 13,400 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-2-ND
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EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 255,000 - 즉시 이용 가능: 255,000 ₩122.91440 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-1-ND
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EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 256,582 - 즉시 이용 가능: 256,582 ₩615.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-6-ND
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EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 256,582 - 즉시 이용 가능: 256,582 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSETR-ND
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TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩136.14400 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSECT-ND
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TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,780 - 즉시 이용 가능: 15,780 ₩641.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSEDKR-ND
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TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,780 - 즉시 이용 가능: 15,780 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-2-ND
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EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 149,367 - 즉시 이용 가능: 149,367 ₩138.06700 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
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 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-1-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 149,367 - 즉시 이용 가능: 149,367 ₩628.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
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 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-6-ND
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EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 149,367 - 즉시 이용 가능: 149,367 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
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 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)TR-ND
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TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 48,000 - 즉시 이용 가능: 48,000 ₩145.95100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)CT-ND
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TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 50,099 - 즉시 이용 가능: 50,099 ₩603.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)DKR-ND
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TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 50,099 - 즉시 이용 가능: 50,099 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)TR-ND
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TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 24,000 - 즉시 이용 가능: 24,000 ₩145.95100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)CT-ND
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TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 26,993 - 즉시 이용 가능: 26,993 ₩603.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)DKR-ND
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TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 26,993 - 즉시 이용 가능: 26,993 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLETR-ND
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TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩148.06633 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLECT-ND
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TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,133 - 즉시 이용 가능: 14,133 ₩615.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GR-TPL,E Datasheet TLP183(GR-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPLEDKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP183(GR-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 14,133 - 즉시 이용 가능: 14,133 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
EL3H7(C)(TA)-VG Datasheet EL3H7(C)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1537-2-ND
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EL3H7(C)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 50,000 - 즉시 이용 가능: 50,000 ₩154.41200 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
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