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제품 색인 > 절연기 > 광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력

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부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
단가
KRW 		최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 채널 개수 전압 - 분리 전류 전달비(최소) 전류 전달비(최대) 턴온/턴오프 시간(통상) 상승/하강 시간(통상) 입력 유형 출력 유형 전압 - 출력(최대) 전류 - 출력/채널 전압 - 순방향(Vf)(통상) 전류 - DC 순방향(If)(최대) Vce 포화(최대) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSETR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 16주 		₩112.92320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSECT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 5,387 - 즉시 이용 가능: 5,387 ₩497.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GB-TP,SE Datasheet TLP291(GB-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TPSEDKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GB-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 5,387 - 즉시 이용 가능: 5,387 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSETR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 10,000 - 즉시 이용 가능: 10,000 ₩112.92320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSECT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 12,888 - 즉시 이용 가능: 12,888 ₩497.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
TLP291(GR-TP,SE Datasheet TLP291(GR-TP,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TPSEDKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP291(GR-TP,SE OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO 12,888 - 즉시 이용 가능: 12,888 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) 4-SO
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-2-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 110,000 - 즉시 이용 가능: 110,000 ₩120.29980 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-1-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 111,107 - 즉시 이용 가능: 111,107 ₩556.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(B)(TA)-VG Datasheet EL3H7(B)(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1197-6-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(B)(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 110,977 - 즉시 이용 가능: 110,977 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSETR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 12주 		₩133.25067 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSECT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 142 - 즉시 이용 가능: 142 ₩580.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPL,SE Datasheet TLP185(GB-TPL,SE - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPLSEDKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPL,SE OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 142 - 즉시 이용 가능: 142 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-2-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 115,000 - 즉시 이용 가능: 115,000 ₩135.13120 5,000 최소 : 5,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-1-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 119,710 - 즉시 이용 가능: 119,710 ₩580.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
EL3H7(TA)-VG Datasheet EL3H7(TA)-VG - Everlight Electronics Co Ltd 1080-1198-6-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
EL3H7(TA)-VG OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP 119,710 - 즉시 이용 가능: 119,710 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA
-
 5µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) 4-SSOP
FOD817BSD Datasheet FOD817BSD - ON Semiconductor FOD817BSDTR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
FOD817BSD OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD 3,000 - 즉시 이용 가능: 3,000 ₩141.82900 1,000 최소 : 1,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 5000Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 4µs, 3µs DC 트랜지스터 70V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
FOD817BSD Datasheet FOD817BSD - ON Semiconductor FOD817BSDCT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
FOD817BSD OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD 3,134 - 즉시 이용 가능: 3,134 ₩485.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 5000Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 4µs, 3µs DC 트랜지스터 70V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
FOD817BSD Datasheet FOD817BSD - ON Semiconductor FOD817BSDDKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
FOD817BSD OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4SMD 3,134 - 즉시 이용 가능: 3,134 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 5000Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA
-
 4µs, 3µs DC 트랜지스터 70V 50mA 1.2V 50mA 200mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 갈매기날개형 4-SMD
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)TR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 54,000 - 즉시 이용 가능: 54,000 ₩142.84667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)CT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 54,086 - 즉시 이용 가능: 54,086 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GB-TPR,E) Datasheet TLP185(GB-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPRE)DKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GB-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 54,086 - 즉시 이용 가능: 54,086 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)TR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩142.84667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)CT-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 16,363 - 즉시 이용 가능: 16,363 ₩568.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP185(GR-TPR,E) Datasheet TLP185(GR-TPR,E) - Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPRE)DKR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP185(GR-TPR,E) OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 16,363 - 즉시 이용 가능: 16,363 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 5µs, 9µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 6-SO, 4 리드(Lead)
TLP183(GB-TPL,E Datasheet TLP183(GB-TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPLETR-ND
이 부품은 RoHS를 준수합니다.
TLP183(GB-TPL,E OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩144.91800 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
 활성 1 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 2µs, 3µs DC 트랜지스터 80V 50mA 1.25V 50mA 300mV -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 4 리드(Lead) 6-SO, 4 리드(Lead)
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10:24:44 1-23-2021