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절연기 - 게이트 구동기

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KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 기술 채널 개수 전압 - 분리 공통 모드 일시 내성(최소) 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) 펄스 폭 왜곡(최대) 상승/하강 시간(통상) 전류 - 출력 High, Low 전류 - 피크 출력 전압 - 순방향(Vf)(통상) 전류 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 출력 공급 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지 승인 기관
   
TLP152(TPL,E Datasheet TLP152(TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP152(TPLETR-ND TLP152(TPL,E OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 9,000 - 즉시 이용 가능: 9,000 ₩545.60233 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 광 결합 1 3750Vrms 20kV/µs 145ns, 165ns 50ns 18ns, 22ns 2A, 2A 2.5A 1.57V 20mA 10V ~ 30V -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 6-SO, 5리드(Lead)
-
TLP152(TPL,E Datasheet TLP152(TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP152(TPLECT-ND TLP152(TPL,E OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 10,684 - 즉시 이용 가능: 10,684 ₩1,641.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 광 결합 1 3750Vrms 20kV/µs 145ns, 165ns 50ns 18ns, 22ns 2A, 2A 2.5A 1.57V 20mA 10V ~ 30V -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 6-SO, 5리드(Lead)
-
TLP152(TPL,E Datasheet TLP152(TPL,E - Toshiba Semiconductor and Storage TLP152(TPLEDKR-ND TLP152(TPL,E OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 10,684 - 즉시 이용 가능: 10,684 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 광 결합 1 3750Vrms 20kV/µs 145ns, 165ns 50ns 18ns, 22ns 2A, 2A 2.5A 1.57V 20mA 10V ~ 30V -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 6-SO, 5리드(Lead)
-
1EDI05I12AFXUMA1 Datasheet 1EDI05I12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI05I12AFXUMA1TR-ND 1EDI05I12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 5,000 - 즉시 이용 가능: 5,000 ₩890.60320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
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10ns, 9ns
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13V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
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1EDI05I12AFXUMA1 Datasheet 1EDI05I12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI05I12AFXUMA1CT-ND 1EDI05I12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 6,521 - 즉시 이용 가능: 6,521 ₩2,026.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
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10ns, 9ns
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13V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
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1EDI05I12AFXUMA1 Datasheet 1EDI05I12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI05I12AFXUMA1DKR-ND 1EDI05I12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 6,521 - 즉시 이용 가능: 6,521 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
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10ns, 9ns
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13V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
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UCC5350MCDR Datasheet UCC5350MCDR - Texas Instruments 296-50189-2-ND UCC5350MCDR DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC 2,500 - 즉시 이용 가능: 2,500 ₩1,083.25640 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 65ns, 65ns 20ns 10ns, 10ns 5A, 5A
-
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13.2V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
UCC5350MCDR Datasheet UCC5350MCDR - Texas Instruments 296-50189-1-ND UCC5350MCDR DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC 3,221 - 즉시 이용 가능: 3,221 ₩2,461.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 65ns, 65ns 20ns 10ns, 10ns 5A, 5A
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13.2V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
UCC5350MCDR Datasheet UCC5350MCDR - Texas Instruments 296-50189-6-ND UCC5350MCDR DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC 3,221 - 즉시 이용 가능: 3,221 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 65ns, 65ns 20ns 10ns, 10ns 5A, 5A
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13.2V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
UCC5350SBDR Datasheet UCC5350SBDR - Texas Instruments 296-50190-2-ND UCC5350SBDR 6A 3KVRMS SINGLE CH ISO DR 8V U 2,500 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 2,500
₩1,083.25640 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 100ns, 100ns 20ns 10ns, 10ns 8.5A, 10A
-
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9.5V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
UCC5350SBDR Datasheet UCC5350SBDR - Texas Instruments 296-50190-1-ND UCC5350SBDR 6A 3KVRMS SINGLE CH ISO DR 8V U 3,785 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 3,785
₩2,461.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 100ns, 100ns 20ns 10ns, 10ns 8.5A, 10A
-
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9.5V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
UCC5350SBDR Datasheet UCC5350SBDR - Texas Instruments 296-50190-6-ND UCC5350SBDR 6A 3KVRMS SINGLE CH ISO DR 8V U 3,785 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 3,785
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 정전 용량 결합 1 3000Vrms 100kV/µs 100ns, 100ns 20ns 10ns, 10ns 8.5A, 10A
-
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9.5V ~ 33V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
1EDI60N12AFXUMA1 Datasheet 1EDI60N12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI60N12AFXUMA1TR-ND 1EDI60N12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 2,500 - 즉시 이용 가능: 2,500 ₩1,214.74960 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
-
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10ns, 9ns
-
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10V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
-
1EDI60N12AFXUMA1 Datasheet 1EDI60N12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI60N12AFXUMA1CT-ND 1EDI60N12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 2,615 - 즉시 이용 가능: 2,615 ₩2,756.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
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10ns, 9ns
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10V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
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1EDI60N12AFXUMA1 Datasheet 1EDI60N12AFXUMA1 - Infineon Technologies 1EDI60N12AFXUMA1DKR-ND 1EDI60N12AFXUMA1 IC IGBT DVR 1200V DSO8 2,615 - 즉시 이용 가능: 2,615 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
EiceDriver™ 활성 자기 결합 1
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10ns, 9ns
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10V ~ 35V -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) PG-DSO-8-51
-
SI8261BBC-C-ISR Datasheet SI8261BBC-C-ISR - Silicon Labs 336-5208-2-ND
SI8261BBC-C-ISR DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 4,515 - 즉시 이용 가능: 4,515 ₩1,602.45000 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 3750Vrms 35kV/µs 60ns, 50ns 28ns 5.5ns, 8.5ns 500mA, 1.2A 4A 2.8V(최대) 30mA 9.4V ~ 30V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8261BBC-C-ISR Datasheet SI8261BBC-C-ISR - Silicon Labs 336-5208-1-ND
SI8261BBC-C-ISR DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 4,515 - 즉시 이용 가능: 4,515 ₩1,872.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 3750Vrms 35kV/µs 60ns, 50ns 28ns 5.5ns, 8.5ns 500mA, 1.2A 4A 2.8V(최대) 30mA 9.4V ~ 30V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8261BBC-C-ISR Datasheet SI8261BBC-C-ISR - Silicon Labs 336-5208-6-ND
SI8261BBC-C-ISR DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 4,515 - 즉시 이용 가능: 4,515 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 3750Vrms 35kV/µs 60ns, 50ns 28ns 5.5ns, 8.5ns 500mA, 1.2A 4A 2.8V(최대) 30mA 9.4V ~ 30V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8220BB-D-ISR Datasheet SI8220BB-D-ISR - Silicon Labs 336-4765-2-ND
SI8220BB-D-ISR DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC 2,500 - 즉시 이용 가능: 2,500 ₩1,666.54800 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 2500Vrms 30kV/µs(통상) 60ns, 40ns
-
20ns, 20ns(최대) 1.5A, 2.5A 2.5A 2.5V(최대) 30mA 9.4V ~ 24V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8220BB-D-ISR Datasheet SI8220BB-D-ISR - Silicon Labs 336-4765-1-ND
SI8220BB-D-ISR DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC 4,241 - 즉시 이용 가능: 4,241 ₩2,013.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 2500Vrms 30kV/µs(통상) 60ns, 40ns
-
20ns, 20ns(최대) 1.5A, 2.5A 2.5A 2.5V(최대) 30mA 9.4V ~ 24V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8220BB-D-ISR Datasheet SI8220BB-D-ISR - Silicon Labs 336-4765-6-ND
SI8220BB-D-ISR DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC 4,241 - 즉시 이용 가능: 4,241 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 2500Vrms 30kV/µs(통상) 60ns, 40ns
-
20ns, 20ns(최대) 1.5A, 2.5A 2.5A 2.5V(최대) 30mA 9.4V ~ 24V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8261BBC-C-IS Datasheet SI8261BBC-C-IS - Silicon Labs SI8261BBC-C-IS-ND
SI8261BBC-C-IS DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 2,907 - 즉시 이용 가능: 2,907 ₩1,872.00000 1 최소 : 1 튜브
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 3750Vrms 35kV/µs 60ns, 50ns 28ns 5.5ns, 8.5ns 500mA, 1.2A 4A 2.8V(최대) 30mA 9.4V ~ 30V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8261BCC-C-IS Datasheet SI8261BCC-C-IS - Silicon Labs 336-2420-5-ND
SI8261BCC-C-IS DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC 2,799 - 즉시 이용 가능: 2,799 ₩1,872.00000 1 최소 : 1 튜브
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 1 3750Vrms 35kV/µs 60ns, 50ns 28ns 5.5ns, 8.5ns 500mA, 1.2A 4A 2.8V(최대) 30mA 13.5V ~ 30V -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8231BB-D-IS1R Datasheet SI8231BB-D-IS1R - Silicon Labs 336-4350-2-ND
SI8231BB-D-IS1R DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩1,897.70080 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 2 2500Vrms 20kV/µs 60ns, 60ns 5.6ns 20ns, 20ns(최대) 250mA, 500mA 500mA
-
-
9.4V ~ 24V -40°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 16-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
SI8231BB-D-IS1R Datasheet SI8231BB-D-IS1R - Silicon Labs 336-4350-1-ND
SI8231BB-D-IS1R DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 17,494 - 즉시 이용 가능: 17,494 ₩2,295.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 정전 용량 결합 2 2500Vrms 20kV/µs 60ns, 60ns 5.6ns 20ns, 20ns(최대) 250mA, 500mA 500mA
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-
9.4V ~ 24V -40°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 16-SOIC CQC, CSA, UR, VDE
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16:01:35 9-29-2020