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PMIC - 게이트 구동기

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단가
KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 구동 구성 채널 유형 구동기 개수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(통상) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-2-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 24,000 - 즉시 이용 가능: 24,000 ₩204.83733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 고측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.4V, 5.5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C 표면 실장 8-WFDFN 노출형 패드 8-TDFN(2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-1-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 27,708 - 즉시 이용 가능: 27,708 ₩575.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 고측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.4V, 5.5V 32µA, 400µA CMOS
-
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-55°C ~ 125°C 표면 실장 8-WFDFN 노출형 패드 8-TDFN(2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-6-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 27,708 - 즉시 이용 가능: 27,708 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 고측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.4V, 5.5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C 표면 실장 8-WFDFN 노출형 패드 8-TDFN(2x2)
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DITR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 30,000 - 즉시 이용 가능: 30,000 ₩231.19960 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 동기 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.4V 1.5A, 2A 비반전 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 10-TFSOP, 10-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DICT-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 33,124 - 즉시 이용 가능: 33,124 ₩649.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 동기 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.4V 1.5A, 2A 비반전 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 10-TFSOP, 10-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DIDKR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 33,124 - 즉시 이용 가능: 33,124 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 동기 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.4V 1.5A, 2A 비반전 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 10-TFSOP, 10-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) 10-MSOP
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 48,000 - 즉시 이용 가능: 48,000 ₩261.35733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
Automotive, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 25V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 50,648 - 즉시 이용 가능: 50,648 ₩734.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
Automotive, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 25V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 50,648 - 즉시 이용 가능: 50,648 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
Automotive, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 25V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 33,000 - 즉시 이용 가능: 33,000 ₩293.39633 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 34,339 - 즉시 이용 가능: 34,339 ₩759.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 34,339 - 즉시 이용 가능: 34,339 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩338.53233 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 13,761 - 즉시 이용 가능: 13,761 ₩881.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 13,761 - 즉시 이용 가능: 13,761 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 42,000 - 즉시 이용 가능: 42,000 ₩378.02733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 44,367 - 즉시 이용 가능: 44,367 ₩979.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 44,367 - 즉시 이용 가능: 44,367 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 6,000 - 즉시 이용 가능: 6,000 ₩378.02733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 6,907 - 즉시 이용 가능: 6,907 ₩979.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 6,907 - 즉시 이용 가능: 6,907 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - ON Semiconductor FAN3111CSXTR-ND FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 27,000 - 즉시 이용 가능: 27,000 ₩423.16733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V
-
1.4A, 1.4A 반전, 비반전
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - ON Semiconductor FAN3111CSXCT-ND FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 27,051 - 즉시 이용 가능: 27,051 ₩1,089.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V
-
1.4A, 1.4A 반전, 비반전
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - ON Semiconductor FAN3111CSXDKR-ND FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 27,051 - 즉시 이용 가능: 27,051 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V
-
1.4A, 1.4A 반전, 비반전
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 31주
₩423.16733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V
-
1.4A, 1.4A 비반전
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
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17:05:51 4-14-2021