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최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 구동 구성 채널 유형 구동기 개수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(통상) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
FL3100TMPX Datasheet FL3100TMPX - ON Semiconductor FL3100TMPXTR-ND FL3100TMPX IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP 102,000 - 즉시
18,000 - 공장 재고
이용 가능: 102,000
₩431.47800 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 3A, 3A 반전, 비반전
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-VDFN 노출형 패드 6-MLP(2x2)
FL3100TMPX Datasheet FL3100TMPX - ON Semiconductor FL3100TMPXCT-ND FL3100TMPX IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP 105,943 - 즉시
18,000 - 공장 재고
이용 가능: 105,943
₩1,148.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 3A, 3A 반전, 비반전
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-VDFN 노출형 패드 6-MLP(2x2)
FL3100TMPX Datasheet FL3100TMPX - ON Semiconductor FL3100TMPXDKR-ND FL3100TMPX IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP 105,943 - 즉시
18,000 - 공장 재고
이용 가능: 105,943
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 3A, 3A 반전, 비반전
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-VDFN 노출형 패드 6-MLP(2x2)
LM5109BSD/NOPB Datasheet LM5109BSD/NOPB - Texas Instruments LM5109BSD/NOPBTR-ND LM5109BSD/NOPB IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON 35,000 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 35,000
₩707.12600 1,000 최소 : 1,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.2V 1A, 1A 비반전 108V 15ns, 15ns -40°C ~ 125°C(TJ) 표면 실장 8-WDFN 노출형 패드 8-WSON(4x4)
LM5109BSD/NOPB Datasheet LM5109BSD/NOPB - Texas Instruments LM5109BSD/NOPBCT-ND LM5109BSD/NOPB IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON 35,935 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 35,935
₩1,722.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.2V 1A, 1A 비반전 108V 15ns, 15ns -40°C ~ 125°C(TJ) 표면 실장 8-WDFN 노출형 패드 8-WSON(4x4)
LM5109BSD/NOPB Datasheet LM5109BSD/NOPB - Texas Instruments LM5109BSD/NOPBDKR-ND LM5109BSD/NOPB IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON 35,935 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 35,935
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 14V 0.8V, 2.2V 1A, 1A 비반전 108V 15ns, 15ns -40°C ~ 125°C(TJ) 표면 실장 8-WDFN 노출형 패드 8-WSON(4x4)
UCC27511DBVR Datasheet UCC27511DBVR - Texas Instruments 296-30285-2-ND UCC27511DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 51,000 - 즉시 이용 가능: 51,000 ₩731.14333 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 1V, 2.4V 4A, 8A 반전, 비반전
-
8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
UCC27511DBVR Datasheet UCC27511DBVR - Texas Instruments 296-30285-1-ND UCC27511DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 54,192 - 즉시 이용 가능: 54,192 ₩1,862.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 1V, 2.4V 4A, 8A 반전, 비반전
-
8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
UCC27511DBVR Datasheet UCC27511DBVR - Texas Instruments 296-30285-6-ND UCC27511DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 54,192 - 즉시 이용 가능: 54,192 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 1V, 2.4V 4A, 8A 반전, 비반전
-
8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ADP3629ARZ-R7 Datasheet ADP3629ARZ-R7 - Analog Devices Inc. ADP3629ARZ-R7TR-ND ADP3629ARZ-R7 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 13,000 - 즉시 이용 가능: 13,000 ₩1,442.56800 1,000 최소 : 1,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 9.5V ~ 18V 0.8V, 2V 2A, 2A 반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
ADP3629ARZ-R7 Datasheet ADP3629ARZ-R7 - Analog Devices Inc. ADP3629ARZ-R7CT-ND ADP3629ARZ-R7 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 13,865 - 즉시 이용 가능: 13,865 ₩3,023.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 9.5V ~ 18V 0.8V, 2V 2A, 2A 반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
ADP3629ARZ-R7 Datasheet ADP3629ARZ-R7 - Analog Devices Inc. ADP3629ARZ-R7DKR-ND ADP3629ARZ-R7 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 13,865 - 즉시 이용 가능: 13,865 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 9.5V ~ 18V 0.8V, 2V 2A, 2A 반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
ADP3624ARDZ-RL Datasheet ADP3624ARDZ-RL - Analog Devices Inc. ADP3624ARDZ-RLTR-ND ADP3624ARDZ-RL IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 10,000 - 즉시 이용 가능: 10,000 ₩1,624.96160 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 4A, 4A 비반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 노출형 패드 8-SOIC-EP
ADP3624ARDZ-RL Datasheet ADP3624ARDZ-RL - Analog Devices Inc. ADP3624ARDZ-RLCT-ND ADP3624ARDZ-RL IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 12,413 - 즉시 이용 가능: 12,413 ₩3,533.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 4A, 4A 비반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 노출형 패드 8-SOIC-EP
ADP3624ARDZ-RL Datasheet ADP3624ARDZ-RL - Analog Devices Inc. ADP3624ARDZ-RLDKR-ND ADP3624ARDZ-RL IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 12,413 - 즉시 이용 가능: 12,413 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V 4A, 4A 비반전
-
10ns, 10ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 노출형 패드 8-SOIC-EP
UCC27201DR Datasheet UCC27201DR - Texas Instruments 296-39525-2-ND UCC27201DR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 17,500 - 즉시 이용 가능: 17,500 ₩1,867.71080 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
UCC27201DR Datasheet UCC27201DR - Texas Instruments 296-39525-1-ND UCC27201DR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 19,220 - 즉시 이용 가능: 19,220 ₩3,980.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
UCC27201DR Datasheet UCC27201DR - Texas Instruments 296-39525-6-ND UCC27201DR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 19,220 - 즉시 이용 가능: 19,220 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
UCC27201ADDAR Datasheet UCC27201ADDAR - Texas Instruments 296-28428-2-ND UCC27201ADDAR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 7,500 - 즉시
5,000 - 공장 재고
이용 가능: 7,500
₩1,867.71080 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
UCC27201ADDAR Datasheet UCC27201ADDAR - Texas Instruments 296-28428-1-ND UCC27201ADDAR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 8,446 - 즉시
5,000 - 공장 재고
이용 가능: 8,446
₩3,980.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
UCC27201ADDAR Datasheet UCC27201ADDAR - Texas Instruments 296-28428-6-ND UCC27201ADDAR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 8,446 - 즉시
5,000 - 공장 재고
이용 가능: 8,446
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
IRS2301SPBF Datasheet IRS2301SPBF - Infineon Technologies IRS2301SPBF-ND IRS2301SPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 43,306 - 즉시 이용 가능: 43,306 ₩1,990.00000 1 최소 : 1 튜브
다른 포장형태
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활성 하프브리지 독립적 2 IGBT, N 채널 MOSFET 5V ~ 20V 0.8V, 2.5V 200mA, 350mA 비반전 600V 130ns, 50ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
UCC27201AQDDARQ1 Datasheet UCC27201AQDDARQ1 - Texas Instruments 296-42402-2-ND UCC27201AQDDARQ1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 12,500 - 즉시 이용 가능: 12,500 ₩2,204.02960 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
UCC27201AQDDARQ1 Datasheet UCC27201AQDDARQ1 - Texas Instruments 296-42402-1-ND UCC27201AQDDARQ1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 14,874 - 즉시 이용 가능: 14,874 ₩4,694.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
UCC27201AQDDARQ1 Datasheet UCC27201AQDDARQ1 - Texas Instruments 296-42402-6-ND UCC27201AQDDARQ1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 14,874 - 즉시 이용 가능: 14,874 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
자동차, AEC-Q100 활성 하프브리지 독립적 2 N 채널 MOSFET 8V ~ 17V 0.8V, 2.5V 3A, 3A 비반전 120V 8ns, 7ns -40°C ~ 140°C(TJ) 표면 실장 8-PowerSOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO PowerPad
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