제품 색인 > 집적 회로(IC) > PMIC - 게이트 구동기

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ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 30,000 - 즉시 이용 가능: 30,000 ₩264.49733 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33,056 - 즉시 이용 가능: 33,056 ₩705.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
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48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33,056 - 즉시 이용 가능: 33,056 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 6,000 - 즉시 이용 가능: 6,000 ₩317.39700 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
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48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 7,397 - 즉시 이용 가능: 7,397 ₩851.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
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48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 7,397 - 즉시 이용 가능: 7,397 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 로우사이드 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
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48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 30,000 - 즉시 이용 가능: 30,000 ₩365.00880 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 35,460 - 즉시 이용 가능: 35,460 ₩973.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
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5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 35,460 - 즉시 이용 가능: 35,460 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-2-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 7,500 - 즉시 이용 가능: 7,500 ₩365.00880 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-1-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 10,649 - 즉시 이용 가능: 10,649 ₩973.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-6-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 10,649 - 즉시 이용 가능: 10,649 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75 V ~ 5.25 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 42,000 - 즉시 이용 가능: 42,000 ₩354.42667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
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8A, 8A 비반전
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13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 43,734 - 즉시 이용 가능: 43,734 ₩949.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
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13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 43,734 - 즉시 이용 가능: 43,734 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 7,500 - 즉시 이용 가능: 7,500 ₩449.46320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2
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4.5 V ~ 5.5 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 비반전
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50ns, 90ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 12,402 - 즉시 이용 가능: 12,402 ₩1,094.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2
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4.5 V ~ 5.5 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 비반전
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50ns, 90ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75477DR Datasheet SN75477DR - Texas Instruments 296-14962-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 12,402 - 즉시 이용 가능: 12,402 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2
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4.5 V ~ 5.5 V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 비반전
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50ns, 90ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFTR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩452.27233 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
µHVIC™ 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 10.2 V ~ 20 V 0.8V, 2.5V 1.5A, 1.5A 비반전
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25ns, 25ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFCT-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,397 - 즉시 이용 가능: 15,397 ₩1,094.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
µHVIC™ 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 10.2 V ~ 20 V 0.8V, 2.5V 1.5A, 1.5A 비반전
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25ns, 25ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFDKR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15,397 - 즉시 이용 가능: 15,397 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
µHVIC™ 유효 로우사이드 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 10.2 V ~ 20 V 0.8V, 2.5V 1.5A, 1.5A 비반전
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25ns, 25ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 42,000 - 즉시 이용 가능: 42,000 ₩493.72850 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.5 V ~ 30 V 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 비반전
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10ns, 8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-VDFN 노출형 패드 8-DFN(3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 42,390 - 즉시 이용 가능: 42,390 ₩1,277.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.5 V ~ 30 V 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 비반전
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10ns, 8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-VDFN 노출형 패드 8-DFN(3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 42,390 - 즉시 이용 가능: 42,390 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.5 V ~ 30 V 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 비반전
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10ns, 8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-VDFN 노출형 패드 8-DFN(3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152TR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 10,000 - 즉시 이용 가능: 10,000 ₩493.72850 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
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유효 로우사이드 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.5 V ~ 30 V 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 반전, 비반전
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10ns, 8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-VDFN 노출형 패드 8-DFN(3x3)
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