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제품 색인 > 집적 회로(IC) > PMIC - 게이트 구동기

결과: 7,897
7,897 (남은 유사 제품 수량)
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7,897 (남은 유사 제품 수량)
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부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
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KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 구동 구성 채널 유형 구동기 개수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(통상) 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33,000 - 즉시
75,000 - 공장 재고
이용 가능: 33,000
₩182.75067 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
2A, 2A 비반전
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33,248 - 즉시
75,000 - 공장 재고
이용 가능: 33,248
₩537.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
2A, 2A 비반전
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33,248 - 즉시
75,000 - 공장 재고
이용 가능: 33,248
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
2A, 2A 비반전
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33,000 - 즉시 이용 가능: 33,000 ₩284.93367 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33,575 - 즉시 이용 가능: 33,575 ₩760.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33,575 - 즉시 이용 가능: 33,575 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
자동차, AEC-Q101 활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 18,000 - 즉시 이용 가능: 18,000 ₩296.33100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 19,380 - 즉시 이용 가능: 19,380 ₩786.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 19,380 - 즉시 이용 가능: 19,380 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
5A, 5A 비반전
-
8.9ns, 8.9ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 24,000 - 즉시 이용 가능: 24,000 ₩341.92033 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 25,516 - 즉시 이용 가능: 25,516 ₩917.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 25,516 - 즉시 이용 가능: 25,516 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, SiC MOSFET 40V(최대)
-
10A, 10A 비반전
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 36,000 - 즉시 이용 가능: 36,000 ₩381.81100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 38,438 - 즉시 이용 가능: 38,438 ₩1,022.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 38,438 - 즉시 이용 가능: 38,438 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 40V(최대)
-
8A, 8A 비반전
-
13.4ns, 12.4ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 9,000 - 즉시 이용 가능: 9,000 ₩381.81100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10,678 - 즉시 이용 가능: 10,678 ₩1,022.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10,678 - 즉시 이용 가능: 10,678 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 IGBT, N 채널 MOSFET 20V(최대)
-
9A, 9A 비반전
-
8.3ns, 10.8ns -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-6 SOT-23-6
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 10,000 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 10,000
₩393.21120 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 10,791 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 10,791
₩1,048.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 10,791 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 10,791
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-2-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 10,000 - 공장 재고 ₩393.21120 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-1-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 2,395 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 2,395
₩1,048.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-6-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 2,395 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 2,395
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 저측면 독립적 2 N 채널, P 채널 MOSFET 4.75V ~ 5.25V 0.8V, 2V 500mA, 500mA 반전
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C(TA) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 81,000 - 즉시 이용 가능: 81,000 ₩427.40067 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 저측면 단일 1 N 채널 MOSFET 4.5V ~ 18V
-
1.4A, 1.4A 비반전
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
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15:24:27 9-22-2019