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제품 색인 > 이산 소자 반도체 제품 > 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

결과: 325
325 (남은 유사 제품 수량)
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325 (남은 유사 제품 수량)

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부품 비교 Datasheets 사진 Digi-Key 부품 번호 제조업체 부품 번호 제조업체 제품 요약 주문 가능 수량
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KRW
최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 FET 유형 기술 드레인 - 소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) Rds On(최대) @ Id, Vgs Id 기준 Vgs(th)(최대) 제이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds FET 특징 내전력(최대) 작동 온도 실장 유형 공급 장치 패키지 패키지/케이스
   
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GTR-ND MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩377.82000 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 13mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
-
-
±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GCT-ND MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 12,660 - 즉시 이용 가능: 12,660 ₩498.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 13mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
-
-
±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GDKR-ND MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 12,660 - 즉시 이용 가능: 12,660 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 13mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
-
-
±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GTR-ND MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 15,000 - 즉시 이용 가능: 15,000 ₩526.24300 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 350V 72mA(Tj) 0V 35옴 @ 150mA, 0V
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±20V 120pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GCT-ND MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 16,994 - 즉시 이용 가능: 16,994 ₩694.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 350V 72mA(Tj) 0V 35옴 @ 150mA, 0V
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±20V 120pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GDKR-ND MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 16,994 - 즉시 이용 가능: 16,994 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 350V 72mA(Tj) 0V 35옴 @ 150mA, 0V
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±20V 120pF @ 25V 공핍 모드 360mW(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-2-ND MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 3,000 - 즉시 이용 가능: 3,000 ₩539.74100 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 P채널 MOSFET(금속 산화물) 6V 2A(Ta) 1.8V, 4.5V 84m옴 @ 100mA, 4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-1-ND MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 4,049 - 즉시 이용 가능: 4,049 ₩721.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 P채널 MOSFET(금속 산화물) 6V 2A(Ta) 1.8V, 4.5V 84m옴 @ 100mA, 4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-6-ND MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 4,049 - 즉시 이용 가능: 4,049 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 P채널 MOSFET(금속 산화물) 6V 2A(Ta) 1.8V, 4.5V 84m옴 @ 100mA, 4.5V 1.2V @ 250µA
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6V
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270mW(Ta) -40°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LND150N8-G Datasheet LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-GTR-ND MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 4,000 - 즉시 이용 가능: 4,000 ₩607.21000 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 30mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
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±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-89-3 TO-243AA
LND150N8-G Datasheet LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-GCT-ND MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 5,127 - 즉시 이용 가능: 5,127 ₩799.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 30mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
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±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-89-3 TO-243AA
LND150N8-G Datasheet LND150N8-G - Microchip Technology LND150N8-GDKR-ND MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 5,127 - 즉시 이용 가능: 5,127 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 500V 30mA(Tj) 0V 1000옴 @ 500µA, 0V
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±20V 10pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 SOT-89-3 TO-243AA
DN3525N8-G Datasheet DN3525N8-G - Microchip Technology DN3525N8-GTR-ND MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 12,000 - 즉시 이용 가능: 12,000 ₩661.18350 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 250V 360mA(Tj) 0V 6옴 @ 200mA, 0V
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±20V 350pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3525N8-G Datasheet DN3525N8-G - Microchip Technology DN3525N8-GCT-ND MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 12,292 - 즉시 이용 가능: 12,292 ₩878.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 250V 360mA(Tj) 0V 6옴 @ 200mA, 0V
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±20V 350pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN3525N8-G Datasheet DN3525N8-G - Microchip Technology DN3525N8-GDKR-ND MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 12,292 - 즉시 이용 가능: 12,292 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 250V 360mA(Tj) 0V 6옴 @ 200mA, 0V
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±20V 350pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GTR-ND MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 40,000 - 즉시 이용 가능: 40,000 ₩809.60450 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 700V 170mA(Tj) 0V 42옴 @ 100mA, 0V
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±20V 540pF @ 25V 공핍 모드 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-252,(D-Pak) TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GCT-ND MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 40,884 - 즉시 이용 가능: 40,884 ₩1,061.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 700V 170mA(Tj) 0V 42옴 @ 100mA, 0V
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±20V 540pF @ 25V 공핍 모드 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-252,(D-Pak) TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GDKR-ND MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 40,884 - 즉시 이용 가능: 40,884 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 700V 170mA(Tj) 0V 42옴 @ 100mA, 0V
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±20V 540pF @ 25V 공핍 모드 2.5W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-252,(D-Pak) TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63
DN2540N8-G Datasheet DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-GTR-ND MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 2,000 - 즉시 이용 가능: 2,000 ₩809.60450 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 400V 170mA(Tj) 0V 25옴 @ 120mA, 0V
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±20V 300pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN2540N8-G Datasheet DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-GCT-ND MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 2,137 - 즉시 이용 가능: 2,137 ₩1,061.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 400V 170mA(Tj) 0V 25옴 @ 120mA, 0V
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±20V 300pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
DN2540N8-G Datasheet DN2540N8-G - Microchip Technology DN2540N8-GDKR-ND MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 2,137 - 즉시 이용 가능: 2,137 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 400V 170mA(Tj) 0V 25옴 @ 120mA, 0V
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±20V 300pF @ 25V 공핍 모드 1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
TN2524N8-G Datasheet TN2524N8-G - Microchip Technology TN2524N8-GTR-ND MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3 16,000 - 즉시 이용 가능: 16,000 ₩1,160.43350 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
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활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 240V 360mA(Tj) 4.5V, 10V 6옴 @ 500mA, 10V 2V @ 1mA
-
±20V 125pF @ 25V
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1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
TN2524N8-G Datasheet TN2524N8-G - Microchip Technology TN2524N8-GCT-ND MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3 16,544 - 즉시 이용 가능: 16,544 ₩1,533.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 240V 360mA(Tj) 4.5V, 10V 6옴 @ 500mA, 10V 2V @ 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
TN2524N8-G Datasheet TN2524N8-G - Microchip Technology TN2524N8-GDKR-ND MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3 16,544 - 즉시 이용 가능: 16,544 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
-
활성 N채널 MOSFET(금속 산화물) 240V 360mA(Tj) 4.5V, 10V 6옴 @ 500mA, 10V 2V @ 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1.6W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
TP2540N8-G Datasheet TP2540N8-G - Microchip Technology TP2540N8-GTR-ND MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3 66,000 - 즉시 이용 가능: 66,000 ₩1,484.27550 2,000 최소 : 2,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
-
활성 P채널 MOSFET(금속 산화물) 400V 125mA(Tj) 4.5V, 10V 25옴 @ 100mA, 10V 2.4V @ 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1.6W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 TO-243AA(SOT-89) TO-243AA
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