제품 색인 > 이산 소자 반도체 제품 > 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF

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MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51,000 - 즉시 이용 가능: 51,000 ₩173.07767 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 N채널 JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 53,433 - 즉시 이용 가능: 53,433 ₩624.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
-
유효 N채널 JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 53,433 - 즉시 이용 가능: 53,433 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 N채널 JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10,000 - 즉시 이용 가능: 10,000 ₩500.76060 10,000 최소 : 10,000 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 pHEMT FET 12GHz 13.7dB 2V 15mA 0.5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 13,328 - 즉시 이용 가능: 13,328 ₩1,406.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
-
유효 pHEMT FET 12GHz 13.7dB 2V 15mA 0.5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 13,328 - 즉시 이용 가능: 13,328 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 pHEMT FET 12GHz 13.7dB 2V 15mA 0.5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - 즉시 이용 가능: 500 ₩16,714.91400 500 최소 : 500 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS 400MHz ~ 2.7GHz 19dB 28V 1.4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 887 - 즉시 이용 가능: 887 ₩24,928.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS 400MHz ~ 2.7GHz 19dB 28V 1.4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 887 - 즉시 이용 가능: 887 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS 400MHz ~ 2.7GHz 19dB 28V 1.4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 290 - 즉시 이용 가능: 290 ₩23,669.00000 1 최소 : 1 튜브?
-
유효 HEMT 0Hz ~ 6GHz 14.8dB 28V 1.4A
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50mA 4W 100V 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 389 - 즉시 이용 가능: 389 ₩23,827.70000 10 최소 : 10 트레이? GaN 유효 HEMT 6GHz 15dB 28V
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100mA 8W 84V 다이 다이
PD85025TR-E Datasheet PD85025TR-E - STMicroelectronics 497-12514-2-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 600 - 즉시 이용 가능: 600 ₩25,037.05000 600 최소 : 600 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS 870MHz 17.3dB 13.6V 7A
-
300mA 10W 40V PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) PowerSO-10RF(성형 리드(Lead))
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 660 - 즉시 이용 가능: 660 ₩26,187.23333 60 최소 : 60 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS(이중), 공통 소스 860MHz 22dB 50V
-
-
60mA 10W 104V 12-VDFN 노출형 패드 12-HVSON(6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 759 - 즉시 이용 가능: 759 ₩30,625.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS(이중), 공통 소스 860MHz 22dB 50V
-
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60mA 10W 104V 12-VDFN 노출형 패드 12-HVSON(6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 759 - 즉시 이용 가능: 759 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS(이중), 공통 소스 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN 노출형 패드 12-HVSON(6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1,000 - 즉시 이용 가능: 1,000 ₩29,940.74000 200 최소 : 200 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
GaN 유효 HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN 노출형 패드 6-QFN-EP(3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1,183 - 즉시 이용 가능: 1,183 ₩33,535.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
GaN 유효 HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN 노출형 패드 6-QFN-EP(3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1,183 - 즉시 이용 가능: 1,183 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®?
다른 포장형태
GaN 유효 HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN 노출형 패드 6-QFN-EP(3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 239 - 즉시 이용 가능: 239 ₩39,611.00000 1 최소 : 1 튜브?
-
유효 LDMOS 945MHz 16.5dB 28V 2.5A
-
100mA 18W 65V PowerSO-10 노출된 하단 패드 10-PowerSO
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 이용 가능: 0
표준 리드 타임 13주
₩34,607.08000 500
비재고
?
최소 : 500
테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
-
유효 LDMOS 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 28V
-
-
100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 313 - 즉시 이용 가능: 313 ₩46,580.00000 1 최소 : 1 트레이?
다른 포장형태
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유효 LDMOS 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 197 - 즉시 이용 가능: 197 ₩47,130.00000 1 최소 : 1 튜브? Z-MOS™ 유효 2 N-Chan(이중) 70MHz 17dB 100V 10A
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270W 500V 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드
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BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 474 - 즉시 이용 가능: 474 ₩47,655.00000
-
트레이?
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기존 설계 전용 LDMOS 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006STR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 500 - 즉시 이용 가능: 500 ₩48,755.74000 250 최소 : 250 테이프 및 릴(TR)?
다른 포장형태
GaN 유효 HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN 노출형 패드 12-DFN(4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SCT-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 551 - 즉시 이용 가능: 551 ₩54,612.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)?
다른 포장형태
GaN 유효 HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN 노출형 패드 12-DFN(4x3)
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19:16:54 4-20-2019