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트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

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최소 주문 수량 포장 계열 부품 현황 FET 유형 FET 특징 드레인 - 소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C Rds On(최대) @ Id, Vgs Id 기준 Vgs(th)(최대) 제이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 전력 - 최대 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
CSD85301Q2 Datasheet CSD85301Q2 - Texas Instruments 296-40010-2-ND CSD85301Q2 MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 18,000 - 즉시
9,000 - 공장 재고
이용 가능: 18,000
₩274.33667 3,000 최소 : 3,000 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트, 5V 구동 20V 5A 27밀리옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC(4.5V) 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-WDFN 노출형 패드 6-WSON(2x2)
CSD85301Q2 Datasheet CSD85301Q2 - Texas Instruments 296-40010-1-ND CSD85301Q2 MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 20,069 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 20,069
₩802.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트, 5V 구동 20V 5A 27밀리옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC(4.5V) 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-WDFN 노출형 패드 6-WSON(2x2)
CSD85301Q2 Datasheet CSD85301Q2 - Texas Instruments 296-40010-6-ND CSD85301Q2 MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 20,069 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 20,069
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트, 5V 구동 20V 5A 27밀리옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC(4.5V) 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 6-WDFN 노출형 패드 6-WSON(2x2)
CSD88537ND Datasheet CSD88537ND - Texas Instruments 296-37303-2-ND CSD88537ND MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 17,500 - 즉시 이용 가능: 17,500 ₩653.68680 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 표준 60V 15A 15m옴 @ 8A, 10V 3.6V @ 250µA 18nC(10V) 1400pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
CSD88537ND Datasheet CSD88537ND - Texas Instruments 296-37303-1-ND CSD88537ND MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 19,944 - 즉시 이용 가능: 19,944 ₩1,553.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 표준 60V 15A 15m옴 @ 8A, 10V 3.6V @ 250µA 18nC(10V) 1400pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
CSD88537ND Datasheet CSD88537ND - Texas Instruments 296-37303-6-ND CSD88537ND MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 19,944 - 즉시 이용 가능: 19,944 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 표준 60V 15A 15m옴 @ 8A, 10V 3.6V @ 250µA 18nC(10V) 1400pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SOIC
CSD87588N Datasheet CSD87588N - Texas Instruments 296-35792-2-ND CSD87588N MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 37,500 - 즉시 이용 가능: 37,500 ₩689.26320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 25A 9.6m옴 @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 4.1nC(4.5V) 736pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 5-XFLGA 5-PTAB(3x2.5)
CSD87588N Datasheet CSD87588N - Texas Instruments 296-35792-1-ND CSD87588N MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 39,430 - 즉시 이용 가능: 39,430 ₩1,757.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 25A 9.6m옴 @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 4.1nC(4.5V) 736pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 5-XFLGA 5-PTAB(3x2.5)
CSD87588N Datasheet CSD87588N - Texas Instruments 296-35792-6-ND CSD87588N MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 39,430 - 즉시 이용 가능: 39,430 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 25A 9.6m옴 @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 4.1nC(4.5V) 736pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 5-XFLGA 5-PTAB(3x2.5)
CSD87331Q3D Datasheet CSD87331Q3D - Texas Instruments 296-29695-2-ND CSD87331Q3D MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 12,500 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 12,500
₩689.26320 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 표준 30V 15A
-
2.1V, 1.2V @ 250µA 3.2nC(4.5V) 518pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD87331Q3D Datasheet CSD87331Q3D - Texas Instruments 296-29695-1-ND CSD87331Q3D MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 13,869 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 13,869
₩1,757.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 표준 30V 15A
-
2.1V, 1.2V @ 250µA 3.2nC(4.5V) 518pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD87331Q3D Datasheet CSD87331Q3D - Texas Instruments 296-29695-6-ND CSD87331Q3D MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 13,869 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 13,869
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 표준 30V 15A
-
2.1V, 1.2V @ 250µA 3.2nC(4.5V) 518pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD87330Q3D Datasheet CSD87330Q3D - Texas Instruments 296-29660-2-ND CSD87330Q3D MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 62,282 - 즉시 이용 가능: 62,282 ₩865.73040 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 20A
-
2.1V @ 250µA 5.8nC(4.5V) 900pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87330Q3D Datasheet CSD87330Q3D - Texas Instruments 296-29660-1-ND CSD87330Q3D MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 62,282 - 즉시 이용 가능: 62,282 ₩2,025.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 20A
-
2.1V @ 250µA 5.8nC(4.5V) 900pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87330Q3D Datasheet CSD87330Q3D - Texas Instruments 296-29660-6-ND CSD87330Q3D MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 62,292 - 즉시 이용 가능: 62,292 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 30V 20A
-
2.1V @ 250µA 5.8nC(4.5V) 900pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87335Q3D Datasheet CSD87335Q3D - Texas Instruments 296-43949-2-ND CSD87335Q3D MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 12,500 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 12,500
₩928.63240 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(이중) 비대칭 표준 30V
-
-
1.9V @ 250µA 7.4nC(4.5V) 1050pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87335Q3D Datasheet CSD87335Q3D - Texas Instruments 296-43949-1-ND CSD87335Q3D MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 13,212 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 13,212
₩2,165.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(이중) 비대칭 표준 30V
-
-
1.9V @ 250µA 7.4nC(4.5V) 1050pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87335Q3D Datasheet CSD87335Q3D - Texas Instruments 296-43949-6-ND CSD87335Q3D MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 13,212 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 13,212
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(이중) 비대칭 표준 30V
-
-
1.9V @ 250µA 7.4nC(4.5V) 1050pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD87352Q5D Datasheet CSD87352Q5D - Texas Instruments 296-29161-2-ND CSD87352Q5D MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 27,500 - 즉시 이용 가능: 27,500 ₩961.73840 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트 30V 25A
-
1.15V @ 250µA 12.5nC(4.5V) 1800pF @ 15V 8.5W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD87352Q5D Datasheet CSD87352Q5D - Texas Instruments 296-29161-1-ND CSD87352Q5D MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 28,785 - 즉시 이용 가능: 28,785 ₩2,254.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트 30V 25A
-
1.15V @ 250µA 12.5nC(4.5V) 1800pF @ 15V 8.5W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD87352Q5D Datasheet CSD87352Q5D - Texas Instruments 296-29161-6-ND CSD87352Q5D MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 28,785 - 즉시 이용 가능: 28,785 Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 논리 레벨 게이트 30V 25A
-
1.15V @ 250µA 12.5nC(4.5V) 1800pF @ 15V 8.5W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(5x6)
CSD86330Q3D Datasheet CSD86330Q3D - Texas Instruments 296-28216-2-ND CSD86330Q3D MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 5,000 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 5,000
₩1,089.45240 2,500 최소 : 2,500 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 25V 20A 9.6m옴 @ 14A, 8V 2.1V @ 250µA 6.2nC(4.5V) 920pF @ 12.5V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD86330Q3D Datasheet CSD86330Q3D - Texas Instruments 296-28216-1-ND CSD86330Q3D MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 7,143 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 7,143
₩2,394.00000 1 최소 : 1 컷 테이프(CT)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 25V 20A 9.6m옴 @ 14A, 8V 2.1V @ 250µA 6.2nC(4.5V) 920pF @ 12.5V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD86330Q3D Datasheet CSD86330Q3D - Texas Instruments 296-28216-6-ND CSD86330Q3D MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 7,143 - 즉시
10,001 - 공장 재고
이용 가능: 7,143
Digi-Reel® 1 최소 : 1 Digi-Reel®
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N 채널(하프브리지) 논리 레벨 게이트 25V 20A 9.6m옴 @ 14A, 8V 2.1V @ 250µA 6.2nC(4.5V) 920pF @ 12.5V 6W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN 8-LSON(3.3x3.3)
CSD88537NDT Datasheet CSD88537NDT - Texas Instruments 296-37795-2-ND CSD88537NDT MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 7,750 - 즉시
10,000 - 공장 재고
이용 가능: 7,750
₩1,093.83200 250 최소 : 250 테이프 및 릴(TR)
다른 포장형태
NexFET™ 활성 2 N-Chan(이중) 표준 60V 15A 15m옴 @ 8A, 10V 3.6V @ 250µA 18nC(10V) 1400pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C(TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 8-SO
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