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SISS63DN-T1-GE3 P채널 20V 35.1A(Ta), 127.5A(Tc) 5W(Ta), 65.8W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S
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1 1,285.00000 ₩1,285
10 1,151.40000 ₩11,514
25 1,092.96000 ₩27,324
100 897.78000 ₩89,778
500 741.64800 ₩370,824
1,000 585.51200 ₩585,512

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND
  • 최소 주문 수량: 3,000
  • 주문 가능 수량: 54,000 - 즉시
  • 단가: ₩546.47767

SISS63DN-T1-GE3

규격서
Digi-Key 부품 번호 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND
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제조업체

Vishay Siliconix

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제조업체 부품 번호 SISS63DN-T1-GE3
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제품 요약 MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
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제조업체 표준 리드 타임 20주
제품 세부 정보

P채널 20V 35.1A(Ta), 127.5A(Tc) 5W(Ta), 65.8W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 SISS63DN
EDA/CAD 모델 SISS63DN-T1-GE3 by Ultra Librarian
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Vishay Siliconix
계열 TrenchFET® Gen III
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 35.1A(Ta), 127.5A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.7m옴 @ 15A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 236nC @ 8V
Vgs(최대) ±12V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7080pF @ 10V
FET 특징 -
내전력(최대) 5W(Ta), 65.8W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8S
기본 부품 번호 SISS63
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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₩1,615.00000 세부 정보
추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 742-SISS63DN-T1-GE3CT