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1 1,199.00000 ₩1,199
10 1,071.90000 ₩10,719
25 1,017.56000 ₩25,439
100 835.87000 ₩83,587
500 690.50000 ₩345,250
1,000 545.13200 ₩545,132

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : SIA414DJ-T1-GE3TR-ND
  • 최소 주문 수량: 3,000
  • 주문 가능 수량: 9,000 - 즉시
  • 단가: ₩508.78967
  • Digi-Reel®  : SIA414DJ-T1-GE3DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 10,249 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

SIA414DJ-T1-GE3

규격서
Digi-Key 부품 번호 SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
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제조업체

Vishay Siliconix

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제조업체 부품 번호 SIA414DJ-T1-GE3
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제품 요약 MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
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제조업체 표준 리드 타임 8주
제품 세부 정보

N채널 8V 12A(Tc) 3.5W(Ta), 19W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SC-70-6 단일

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 SIA414DJ
주요제품 MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Vishay Siliconix
계열 TrenchFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 11m옴 @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id 800mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 32nC @ 5V
Vgs(최대) ±5V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1800pF @ 4V
FET 특징 -
내전력(최대) 3.5W(Ta), 19W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 단일
패키지/케이스 PowerPAK® SC-70-6
기본 부품 번호 SIA414
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 SIA414DJ-T1-GE3CT