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100 823.51000 ₩82,351
500 680.27000 ₩340,135
1,000 537.05600 ₩537,056

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : SI7655ADN-T1-GE3TR-ND
  • 최소 주문 수량: 3,000
  • 주문 가능 수량: 6,000 - 즉시
  • 단가: ₩501.25200
  • Digi-Reel®  : SI7655ADN-T1-GE3DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 7,423 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

SI7655ADN-T1-GE3

규격서
Digi-Key 부품 번호 SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
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제조업체

Vishay Siliconix

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제조업체 부품 번호 SI7655ADN-T1-GE3
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제품 요약 MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
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제조업체 표준 리드 타임 21주
제품 세부 정보

P채널 20V 40A(Tc) 4.8W(Ta), 57W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 SI7655ADN-T1-GE3
PCN 조립/원산지 Multiple Devices 11/Dec/2015
HTML 규격서 SI7655ADN-T1-GE3
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Vishay Siliconix
계열 TrenchFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 40A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.6m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 1.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 225nC @ 10V
Vgs(최대) ±12V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6600pF @ 10V
FET 특징 -
내전력(최대) 4.8W(Ta), 57W(Tc)
작동 온도 -50°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)
패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8S
기본 부품 번호 SI7655
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 SI7655ADN-T1-GE3CT