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SI4931DY-T1-GE3 MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 12V 6.7A 1.1W 표면 실장 8-SO
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10 1,218.70000 ₩12,187
25 1,156.08000 ₩28,902
100 949.79000 ₩94,979
500 784.62200 ₩392,311
1,000 619.43100 ₩619,431

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : SI4931DY-T1-GE3TR-ND
  • 최소 주문 수량: 2,500
  • 주문 가능 수량: 17,500 - 즉시
  • 단가: ₩578.13560
  • Digi-Reel®  : SI4931DY-T1-GE3DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 17,911 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

SI4931DY-T1-GE3

규격서
Digi-Key 부품 번호 SI4931DY-T1-GE3CT-ND
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제조업체

Vishay Siliconix

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제조업체 부품 번호 SI4931DY-T1-GE3
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제품 요약 MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
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제조업체 표준 리드 타임 12주
제품 세부 정보

MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 12V 6.7A 1.1W 표면 실장 8-SO

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 SI4931DY
HTML 규격서 SI4931DY
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Vishay Siliconix
계열 TrenchFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 2 P 채널(이중)
FET 특징 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss) 12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 6.7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 18m옴 @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id 1V @ 350µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 52nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds -
전력 - 최대 1.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지 8-SO
기본 부품 번호 SI4931
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 SI4931DY-T1-GE3CT