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SI4925DDY-T1-GE3 MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 30V 8A 5W 표면 실장 8-SO
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1 1,260.00000 ₩1,260
10 1,035.20000 ₩10,352
25 1,016.60000 ₩25,415
100 805.64000 ₩80,564
500 682.84000 ₩341,420
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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : SI4925DDY-T1-GE3TR-ND
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  • 주문 가능 수량: 5,000 - 즉시
  • 단가: ₩537.05560
  • Digi-Reel®  : SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 6,440 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

SI4925DDY-T1-GE3

규격서
Digi-Key 부품 번호 SI4925DDY-T1-GE3CT-ND
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제조업체

Vishay Siliconix

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제조업체 부품 번호 SI4925DDY-T1-GE3
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제품 요약 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
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제조업체 표준 리드 타임 19주
제품 세부 정보

MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 30V 8A 5W 표면 실장 8-SO

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 SI4925DDY
HTML 규격서 SI4925DDY
EDA/CAD 모델 SI4925DDY-T1-GE3 by Ultra Librarian
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Vishay Siliconix
계열 TrenchFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 2 P 채널(이중)
FET 특징 표준
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 29m옴 @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 50nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1350pF @ 15V
전력 - 최대 5W
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지 8-SO
기본 부품 번호 SI4925
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 SI4925DDY-T1-GE3CT