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TPN4R806PL,L1Q N채널 60V 72A(Tc) 630mW(Ta), 104W(Tc) 표면 실장 8-TSON 고급(3.3x3.3)
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1 1,285.00000 ₩1,285
10 1,144.10000 ₩11,441
25 1,085.60000 ₩27,140
100 891.54000 ₩89,154
500 736.53400 ₩368,267
1,000 581.47400 ₩581,474
2,500 542.70880 ₩1,356,772

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
  • 최소 주문 수량: 5,000
  • 주문 가능 수량: 10,000 - 즉시
  • 단가: ₩528.61240

TPN4R806PL,L1Q

규격서
Digi-Key 부품 번호 264-TPN4R806PLL1QCT-ND
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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

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제조업체 부품 번호 TPN4R806PL,L1Q
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제품 요약 MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
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제조업체 표준 리드 타임 24주
제품 세부 정보

N채널 60V 72A(Tc) 630mW(Ta), 104W(Tc) 표면 실장 8-TSON 고급(3.3x3.3)

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 TPN4R806PL
주요제품 Server Solutions
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
계열 U-MOSIX-H
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 72A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.5m옴 @ 36A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 300µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2770pF @ 30V
FET 특징 -
내전력(최대) 630mW(Ta), 104W(Tc)
작동 온도 175°C
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 8-TSON 고급(3.3x3.3)
패키지/케이스 8-PowerVDFN
기본 부품 번호 TPN4R806
 
환경 및 수출 등급 분류
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 264-TPN4R806PLL1QCT