SSM3J332R,LF P채널 30V 6A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-23F
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10 439.10000 ₩4,391
25 384.20000 ₩9,605
100 248.61000 ₩24,861
500 164.65600 ₩82,328
1,000 126.23700 ₩126,237

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : SSM3J332RLFTR-ND
  • 최소 주문 수량: 3,000
  • 주문 가능 수량: 0
  • 단가: ₩109.77133
  • Digi-Reel®  : SSM3J332RLFDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 345 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

SSM3J332R,LF

규격서
Digi-Key 부품 번호 SSM3J332RLFCT-ND
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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

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제조업체 부품 번호 SSM3J332R,LF
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제품 요약 MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
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제조업체 표준 리드 타임 20주
제품 세부 정보

P채널 30V 6A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-23F

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문서 및 미디어
규격서 SSM3J332R
주요제품 Server Solutions
EDA/CAD 모델 SSM3J332R by Ultra Librarian
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
계열 U-MOSVI
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 6A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 42m옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Vgs(최대) ±12V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 560pF @ 15V
FET 특징 -
내전력(최대) 1W(Ta)
작동 온도 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 SOT-23F
패키지/케이스 SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
기본 부품 번호 SSM3J332
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 SSM3J332RLF(TCT
SSM3J332RLF(TCT-ND
SSM3J332RLFCT