NTF2955T1G P채널 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-223(TO-261)
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10 1,121.10000 ₩11,211
100 859.60000 ₩85,960
500 679.55400 ₩339,777

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : NTF2955T1GOSTR-ND
  • 최소 주문 수량: 1,000
  • 주문 가능 수량: 0
  • 단가: ₩543.64300
  • Digi-Reel®  : NTF2955T1GOSDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 0
  • 단가: Digi-Reel®

NTF2955T1G

규격서
Digi-Key 부품 번호 NTF2955T1GOSCT-ND
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제조업체

onsemi

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제조업체 부품 번호 NTF2955T1G
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제품 요약 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
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제품 세부 정보

P채널 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-223(TO-261)

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 NTF2955,NVF2955
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 Material Declaration NTF2955T1G
PCN 설계/사양 Datasheet MSL Updated 2/April/2007
PCN 조립/원산지 Bond Wire 13/Nov/2020
PCN 포장 Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
HTML 규격서 NTF2955,NVF2955
EDA/CAD 모델 NTF2955T1G by Ultra Librarian
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 onsemi
계열 -
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 P채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 1.7A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 185m옴 @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 492pF @ 25V
FET 특징 -
내전력(최대) 1W(Ta)
작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 SOT-223(TO-261)
패키지/케이스 TO-261-4, TO-261AA
기본 부품 번호 NTF2955
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 NTF2955T1G-ND
NTF2955T1GOSCT