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FQD2N100TM N채널 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta), 50W(Tc) 표면 실장 D-Pak
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25 1,075.32000 ₩26,883
100 883.22000 ₩88,322
500 729.63200 ₩364,816
1,000 576.01600 ₩576,016

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : FQD2N100TMTR-ND
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  • 주문 가능 수량: 9,340 - 즉시
  • 단가: ₩537.61840
  • Digi-Reel®  : FQD2N100TMDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 9,340 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

FQD2N100TM

규격서
Digi-Key 부품 번호 FQD2N100TMCT-ND
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제조업체

ON Semiconductor

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제조업체 부품 번호 FQD2N100TM
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제품 요약 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
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제조업체 표준 리드 타임 27주
제품 세부 정보

N채널 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta), 50W(Tc) 표면 실장 D-Pak

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 FQD2N100, FQU2N100
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 Material Declaration FQD2N100TM
PCN 설계/사양 Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCN 조립/원산지 Mult Dev 13/Aug/2020
PCN 포장 Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 ON Semiconductor
계열 QFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1000V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 1.6A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9옴 @ 800mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Vgs(최대) ±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 520pF @ 25V
FET 특징 -
내전력(최대) 2.5W(Ta), 50W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 D-Pak
패키지/케이스 TO-252-3, DPak(2 리드(lead)+탭), SC-63
기본 부품 번호 FQD2N100
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 FQD2N100TMCT