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FDS2582 N채널 150V 4.1A(Ta) 2.5W(Ta) 표면 실장 8-SOIC
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100 916.63000 ₩91,663
500 757.23800 ₩378,619
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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : FDS2582TR-ND
  • 최소 주문 수량: 2,500
  • 주문 가능 수량: 17,500 - 즉시
  • 단가: ₩546.10080
  • Digi-Reel®  : FDS2582DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 17,885 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

FDS2582

규격서
Digi-Key 부품 번호 FDS2582CT-ND
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제조업체

ON Semiconductor

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제조업체 부품 번호 FDS2582
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제품 요약 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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제조업체 표준 리드 타임 44주
제품 세부 정보

N채널 150V 4.1A(Ta) 2.5W(Ta) 표면 실장 8-SOIC

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 FDS2582
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 Material Declaration FDS2582
PCN 설계/사양 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN 조립/원산지 Mult Dev Assembly Chg 16/Apr/2019
PCN 포장 Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 ON Semiconductor
계열 PowerTrench®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.1A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 66m옴 @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1290pF @ 25V
FET 특징 -
내전력(최대) 2.5W(Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 8-SOIC
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
기본 부품 번호 FDS25
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 FDS2582CT