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IRLL2705TRPBF N채널 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-223
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100 850.19000 ₩85,019
500 672.07200 ₩336,036
1,000 537.65500 ₩537,655

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : IRLL2705PBFTR-ND
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  • 주문 가능 수량: 20,000 - 즉시
  • 단가: ₩511.35920
  • Digi-Reel®  : IRLL2705PBFDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 20,987 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

IRLL2705TRPBF

규격서
Digi-Key 부품 번호 IRLL2705PBFCT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 IRLL2705TRPBF
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제품 요약 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

N채널 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) 표면 실장 SOT-223

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 IRLL2705PbF
기타 관련 문서 Part Number Guide
제품 교육 모듈 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스 IRLL2705TR Saber Model
주요제품 Data Processing Systems
PCN 설계/사양 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN 조립/원산지 Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCN 포장 Package Drawing Update 19/Aug/2015
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTML 규격서 IRLL2705PbF
EDA/CAD 모델 IRLL2705TRPBF by Ultra Librarian
시뮬레이션 모델 IRLL2705TR Spice Model
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 HEXFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.8A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 40m옴 @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs(최대) ±16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 870pF @ 25V
FET 특징 -
내전력(최대) 1W(Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 SOT-223
패키지/케이스 TO-261-4, TO-261AA
기본 부품 번호 IRLL2705
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 *IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT