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IRF7316TRPBF MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 30V 4.9A 2W 표면 실장 8-SO
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1 1,309.00000 ₩1,309
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100 884.32000 ₩88,432
500 699.09000 ₩349,545
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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : IRF7316PBFTR-ND
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  • 주문 가능 수량: 4,000 - 즉시
  • 단가: ₩531.91625
  • Digi-Reel®  : IRF7316PBFDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 4,430 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

IRF7316TRPBF

규격서
Digi-Key 부품 번호 IRF7316PBFCT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 IRF7316TRPBF
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제품 요약 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 30V 4.9A 2W 표면 실장 8-SO

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고객참조번호(선택 사항)
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 HEXFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 2 P 채널(이중)
FET 특징 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 58m옴 @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 34nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 710pF @ 25V
전력 - 최대 2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지 8-SO
기본 부품 번호 IRF7316
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 *IRF7316TRPBF
IRF7316PBFCT