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IRF7304TRPBF MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 20V 4.3A 2W 표면 실장 8-SO
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10 1,084.10000 ₩10,841
25 1,018.08000 ₩25,452
100 830.97000 ₩83,097
500 656.87400 ₩328,437
1,000 525.50400 ₩525,504

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  • 테이프 및 릴(TR)  : IRF7304PBFTR-ND
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  • 주문 가능 수량: 12,000 - 즉시
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  • Digi-Reel®  : IRF7304PBFDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 13,300 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

IRF7304TRPBF

규격서
Digi-Key 부품 번호 IRF7304PBFCT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 IRF7304TRPBF
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제품 요약 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

MOSFET - 어레이 2 P 채널(이중) 20V 4.3A 2W 표면 실장 8-SO

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 IRF7304PbF
기타 관련 문서 IR Part Numbering System
제품 교육 모듈 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
주요제품 Data Processing Systems
PCN 설계/사양 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN 조립/원산지 Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCN 포장 Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
HTML 규격서 IRF7304PbF
시뮬레이션 모델 IRF7304 Spice Model
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 HEXFET®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 2 P 채널(이중)
FET 특징 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 90m옴 @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id 700mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 22nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 610pF @ 15V
전력 - 최대 2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지 8-SO
기본 부품 번호 IRF7304
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 *IRF7304TRPBF
IRF7304PBFCT