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BSZ0902NSATMA1 N채널 30V 19A(Ta), 40A(Tc) 2.1W(Ta), 48W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8-FL
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1 1,175.00000 ₩1,175
10 1,046.20000 ₩10,462
25 993.12000 ₩24,828
100 815.56000 ₩81,556
500 673.76000 ₩336,880
1,000 539.62500 ₩539,625

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : BSZ0902NSATMA1TR-ND
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  • 주문 가능 수량: 15,000 - 즉시
  • 단가: ₩539.62520
  • Digi-Reel®  : BSZ0902NSATMA1DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 15,467 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

BSZ0902NSATMA1

규격서
Digi-Key 부품 번호 BSZ0902NSATMA1CT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 BSZ0902NSATMA1
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제품 요약 MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

N채널 30V 19A(Ta), 40A(Tc) 2.1W(Ta), 48W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8-FL

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제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 OptiMOS™
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 19A(Ta), 40A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.6m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1700pF @ 15V
FET 특징 -
내전력(최대) 2.1W(Ta), 48W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL
패키지/케이스 8-PowerTDFN
기본 부품 번호 BSZ0902
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 BSZ0902NSATMA1CT
BSZ0902NSCT
BSZ0902NSCT-ND