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제품 색인 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 > Infineon Technologies BSZ0506NSATMA1
BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies | BSZ0506NSATMA1CT-ND DigiKey Electronics

BSZ0506NSATMA1 N채널 30V 15A(Ta), 40A(Tc) 2.1W(Ta), 27W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8-FL
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1 1,285.00000 ₩1,285
10 1,133.10000 ₩11,331
25 1,064.56000 ₩26,614
100 868.66000 ₩86,866
500 686.70600 ₩343,353
1,000 549.36500 ₩549,365
2,500 522.49440 ₩1,306,236

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : BSZ0506NSATMA1TR-ND
  • 최소 주문 수량: 5,000
  • 주문 가능 수량: 10,000 - 즉시
  • 단가: ₩522.49420
  • Digi-Reel®  : BSZ0506NSATMA1DKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 21,591 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

BSZ0506NSATMA1

규격서
Digi-Key 부품 번호 BSZ0506NSATMA1CT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 BSZ0506NSATMA1
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제품 요약 MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

N채널 30V 15A(Ta), 40A(Tc) 2.1W(Ta), 27W(Tc) 표면 실장 PG-TSDSON-8-FL

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 BSZ0506NS
기타 관련 문서 Part Number Guide
주요제품 Data Processing Systems
Power MOSFETs for Wireless Charging
PCN 조립/원산지 Mult Dev Site Add 30/Oct/2020
PCN 포장 Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTML 규격서 BSZ0506NS
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류 이산 반도체 제품
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
제조업체 Infineon Technologies
계열 OptiMOS™
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 15A(Ta), 40A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.4m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 950pF @ 15V
FET 특징 -
내전력(최대) 2.1W(Ta), 27W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL
패키지/케이스 8-PowerTDFN
기본 부품 번호 BSZ0506
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 BSZ0506NSATMA1CT