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BSS138WH6327XTSA1 N채널 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) 표면 실장 PG-SOT323-3
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10 389.20000 ₩3,892
25 340.28000 ₩8,507
100 220.42000 ₩22,042
500 145.94600 ₩72,973
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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : BSS138WH6327XTSA1TR-ND
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  • 주문 가능 수량: 51,000 - 즉시
  • 단가: ₩96.11800

BSS138WH6327XTSA1

규격서
Digi-Key 부품 번호 BSS138WH6327XTSA1CT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 BSS138WH6327XTSA1
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제품 요약 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
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제조업체 표준 리드 타임 34주
제품 세부 정보

N채널 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) 표면 실장 PG-SOT323-3

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 BSS138W
기타 관련 문서 Part Number Guide
주요제품 Data Processing Systems
PCN 조립/원산지 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCN 포장 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTML 규격서 BSS138W
시뮬레이션 모델 MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 SIPMOS®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 280mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 1.4V @ 26µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 43pF @ 25V
FET 특징 -
내전력(최대) 500mW(Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PG-SOT323-3
패키지/케이스 SC-70, SOT-323
기본 부품 번호 BSS138
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 BSS138WH6327XTSA1CT