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BSC110N06NS3GATMA1 N채널 60V 50A(Tc) 2.5W(Ta), 50W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-5
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1 1,273.00000 ₩1,273
10 1,114.70000 ₩11,147
25 1,046.96000 ₩26,174
100 854.47000 ₩85,447
500 675.45000 ₩337,725
1,000 540.35900 ₩540,359
2,500 513.92880 ₩1,284,822

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : BSC110N06NS3GATMA1TR-ND
  • 최소 주문 수량: 5,000
  • 주문 가능 수량: 70,000 - 즉시
  • 단가: ₩513.92880

BSC110N06NS3GATMA1

규격서
Digi-Key 부품 번호 BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 BSC110N06NS3GATMA1
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제품 요약 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

N채널 60V 50A(Tc) 2.5W(Ta), 50W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-5

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제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 OptiMOS™
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 50A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 11m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 23µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2700pF @ 30V
FET 특징 -
내전력(최대) 2.5W(Ta), 50W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-5
패키지/케이스 8-PowerTDFN
기본 부품 번호 BSC110
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND