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BSC059N04LS6ATMA1 N채널 40V 17A(Ta), 49A(Tc), 59A(Tc) 3W(Ta), 38W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-6
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1 1,260.00000 ₩1,260
10 1,125.70000 ₩11,257
25 1,068.00000 ₩26,700
100 877.47000 ₩87,747
500 724.83600 ₩362,418
1,000 580.51900 ₩580,519

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : BSC059N04LS6ATMA1TR-ND
  • 최소 주문 수량: 5,000
  • 주문 가능 수량: 45,000 - 즉시
  • 단가: ₩580.52420

BSC059N04LS6ATMA1

규격서
Digi-Key 부품 번호 BSC059N04LS6ATMA1CT-ND
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제조업체

Infineon Technologies

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제조업체 부품 번호 BSC059N04LS6ATMA1
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제품 요약 MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
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제조업체 표준 리드 타임 39주
제품 세부 정보

N채널 40V 17A(Ta), 49A(Tc), 59A(Tc) 3W(Ta), 38W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-6

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제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Infineon Technologies
계열 OptiMOS™
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 17A(Ta), 49A(Tc), 59A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 5.9m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 2.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Vgs(최대) ±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 830pF @ 20V
FET 특징 -
내전력(최대) 3W(Ta), 38W(Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-6
패키지/케이스 8-PowerTDFN
기본 부품 번호 BSC059
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 BSC059N04LS6ATMA1CT