KRW | USD

가격 및 조달
0
 

수량

목록에 추가

모든 가격은 KRW 기준입니다.
수량 단가 금액
500 4,950.31600 ₩2,475,158
1,000 4,174.96500 ₩4,174,965

표시된 주문 수량보다 더 많은 수량이 필요한 경우 견적 요청서를 제출해 주세요.

대체 패키지
  • 컷 테이프(CT)  : 917-1212-1-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 0
  • 단가: ₩7,899.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1212-6-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 0
  • 단가: Digi-Reel®

EPC2206

규격서
Digi-Key 부품 번호 917-1212-2-ND
복사  
제조업체

EPC

복사  
제조업체 부품 번호 EPC2206
복사  
제품 요약 GANFET N-CH 80V 90A DIE
복사  
제조업체 표준 리드 타임 12주
제품 세부 정보

N채널 80V 90A(Ta) 표면 실장 다이

복사  
고객참조번호(선택 사항)
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 EPC
계열 eGaN®
포장 테이프 및 릴(TR) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.2m옴 @ 29A, 5V
Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 13mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 19nC @ 5V
Vgs(최대) +6V, -4V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1940pF @ 40V
FET 특징 -
내전력(최대) -
작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 다이
패키지/케이스 다이
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
관련 부품

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩5,225.00000 세부 정보

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩4,535.00000 세부 정보

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® 세부 정보

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩3,644.10000 세부 정보

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® 세부 정보

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩2,827.15833 세부 정보
함께 고려해 볼 만한 제품

EPC2021

GANFET N-CH 80V 90A DIE

EPC

₩9,747.00000 세부 정보

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩4,535.00000 세부 정보

EPC2218

GANFET N-CH 100V DIE

EPC

₩5,570.00000 세부 정보

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

₩5,225.00000 세부 정보

TMP100AQDBVRQ1

SENSOR DIGITAL -55C-125C SOT23-6

Texas Instruments

₩3,339.00000 세부 정보

EPC90122

BOARD DEV FOR EPC2206 80V EGAN

EPC

₩146,333.00000 세부 정보
추가 리소스
표준 포장 500
다른 이름 917-1212-2