KRW | USD

가격 및 조달
32,637 재고
즉시 선적 가능
 

수량

목록에 추가

모든 가격은 KRW 기준입니다.
수량 단가 금액
1 10,281.00000 ₩10,281
10 9,290.70000 ₩92,907
25 8,858.32000 ₩221,458
100 7,691.40000 ₩769,140

표시된 주문 수량보다 더 많은 수량이 필요한 경우 견적 요청서를 제출해 주세요.

대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : 917-1132-2-ND
  • 최소 주문 수량: 500
  • 주문 가능 수량: 32,500 - 즉시
  • 단가: ₩6,697.58400
  • Digi-Reel®  : 917-1132-6-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 32,637 - 즉시
  • 단가: Digi-Reel®

EPC2034

Digi-Key 부품 번호 917-1132-1-ND
복사  
제조업체

EPC

복사  
제조업체 부품 번호 EPC2034
복사  
제품 요약 GANFET N-CH 200V 48A DIE
복사  
제조업체 표준 리드 타임 12주
제품 세부 정보

N채널 200V 48A(Ta) 표면 실장 다이

복사  
고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
주요제품 EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs
PCN 조립/원산지 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTML 규격서 EPC2034 Errata
Errata EPC2034
EPC2034 Errata
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 EPC
계열 eGaN®
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 N채널
기술 GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 48A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 10m옴 @ 20A, 5V
Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 7mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 8.8nC @ 5V
Vgs(최대) +6V, -4V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 950pF @ 100V
FET 특징 -
내전력(최대) -
작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
공급 장치 패키지 다이
패키지/케이스 다이
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
함께 고려해 볼 만한 제품

EPC2033

GANFET N-CH 150V 31A DIE

EPC

₩10,002.00000 세부 정보

EPC2034C

GANFET N-CH 200V 48A DIE

EPC

₩9,202.00000 세부 정보

EPC2021

GANFET N-CH 80V 90A DIE

EPC

₩9,590.00000 세부 정보

LMG1210RVRR

IC GATE DRVR GAN MOSFET

Texas Instruments

₩6,559.00000 세부 정보

NCP03WF104F05RL

THERM NTC 100KOHM 4250K 0201

Murata Electronics

₩376.00000 세부 정보

EPC2045

GANFET N-CH 100V 16A DIE

EPC

₩2,522.00000 세부 정보
추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 917-1132-1