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ZXMHC3F381N8TC MOSFET - 어레이 2 N 채널 및 2 P 채널(H 브리지) 30V 3.98A, 3.36A 870mW 표면 실장 8-SOP
가격 및 조달
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즉시 선적 가능 공장 재고 : 22,500
 

수량
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1 1,334.00000 ₩1,334
10 1,191.80000 ₩11,918
25 1,130.64000 ₩28,266
100 928.74000 ₩92,874
500 767.22200 ₩383,611
1,000 605.70200 ₩605,702

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대체 패키지
  • 테이프 및 릴(TR)  : ZXMHC3F381N8DITR-ND
  • 최소 주문 수량: 2,500
  • 주문 가능 수량: 45,000 - 즉시
    22,500 - 공장 재고 
  • 단가: ₩565.32160
  • Digi-Reel®  : ZXMHC3F381N8DIDKR-ND
  • 최소 주문 수량: 1
  • 주문 가능 수량: 47,082 - 즉시
    22,500 - 공장 재고 
  • 단가: Digi-Reel®

ZXMHC3F381N8TC

규격서
Digi-Key 부품 번호 ZXMHC3F381N8DICT-ND
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제조업체

Diodes Incorporated

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제조업체 부품 번호 ZXMHC3F381N8TC
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제품 요약 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
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제조업체 표준 리드 타임 52주
제품 세부 정보

MOSFET - 어레이 2 N 채널 및 2 P 채널(H 브리지) 30V 3.98A, 3.36A 870mW 표면 실장 8-SOP

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고객참조번호(선택 사항)
문서 및 미디어
규격서 ZXMHC3F381N8
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 설계/사양 Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
PCN 조립/원산지 Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021
HTML 규격서 ZXMHC3F381N8
EDA/CAD 모델 ZXMHC3F381N8TC by Ultra Librarian
제품 특성
형식 제품 요약 모두 선택
종류
제조업체 Diodes Incorporated
계열 -
포장 컷 테이프(CT) 
부품 현황 활성
FET 유형 2 N 채널 및 2 P 채널(H 브리지)
FET 특징 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.98A, 3.36A
Rds On(최대) @ Id, Vgs 33m옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 430pF @ 15V
전력 - 최대 870mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형 표면 실장
패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지 8-SOP
기본 부품 번호 ZXMHC3F381
 
환경 및 수출 등급 분류
RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
수분 민감도 레벨(MSL) 1(무제한)
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추가 리소스
표준 포장 1
다른 이름 ZXMHC3F381N8DICT