Toshiba Semiconductor and Storage 단일 FET, MOSFET

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계열
-*DTMOSIIDTMOSIVDTMOSIV-HDTMOSVDTMOSVIU-MOSIIU-MOSIIIU-MOSIII-HU-MOSIVU-MOSIV-H
포장
Digi-Reel®벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
12 V20 V30 V32 V34 V38 V40 V45 V50 V60 V75 V80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50mA(Ta)100mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)200mA(Ta)250mA(Ta)300mA(Ta)330mA(Ta)400mA(Ta)500mA(Ta)650mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.5V, 2.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.5V, 5V1.8V, 10V1.8V, 4.5V1.8V, 4V1.8V, 8V2V, 4.5V2.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.3m옴 @ 200A, 10V0.6m옴 @ 50A, 10V0.65m옴 @ 50A, 10V0.66m옴 @ 100A, 10V0.74m옴 @ 125A, 10V0.74m옴 @ 50A, 10V0.79m옴 @ 75A, 10V0.8m옴 @ 50A, 10V0.83mOhm @ 175A, 10V0.85m옴 @ 50A, 10V0.9 m옴 @ 30A, 10V0.9m옴 @ 100A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 500µA1.3V @ 200µA1.4V @ 1.11mA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.2 nC @ 4 V1.23 nC @ 4 V1.5 nC @ 4 V1.5 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V
Vgs(최대)
+6V, -12V+6V, -8V±6V±7V±8V+10V, -20V±10V10V+12V, -6V+12V, -8V±12V+20V, -12V+20V, -16V+20V, -25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
5.5 pF @ 3 V7 pF @ 3 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12 pF @ 10 V12.2 pF @ 3 V13.5 pF @ 3 V15.1 pF @ 3 V
FET 특징
-쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)
내전력(최대)
100mW(Ta)150mW(Ta)200mW(Ta)270mW(Ta)320mW(Ta)330mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta), 61W(Tc)630mW(Ta), 104W(Tc)630mW(Ta), 57W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
실장 유형
스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
4-DFN-EP(8x8)4-TFP(9.2x9.2)5-DFN(8x8)5-SSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)6-UDFNB(2x2)6-WCSPC(1.5x1.0)6-µDFN(2x2)8-DSOP 고급8-SOP8-SOP 고급(5x5.75)
패키지/케이스
3-SMD, 무연3-SMD, 플랫 리드(Lead)4-SMD, 무연4-VSFN 노출형 패드5-PowerSFN5-SMD, 플랫 리드(Lead)5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-SMD, 플랫 리드(Lead)6-SMD(5리드), 편평 리드6-UDFN 노출형 패드6-UFBGA, WLCSP6-WDFN 노출형 패드
재고 옵션
환경 옵션
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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
49,420
재고 있음
1 : ₩194.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩42.02910
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
400mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
CST3
SC-101, SOT-883
13,899
재고 있음
1 : ₩208.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩49.13988
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
100mA(Ta)
2.5V, 4V
3.6옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VESM
SOT-723
5,744,672
재고 있음
1 : ₩305.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩67.03767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
800mA(Ta)
1.5V, 4.5V
235m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SSM
SC-75, SOT-416
16,687
재고 있음
1 : ₩319.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩85.26333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.9A(Ta)
1.5V, 4.5V
93m옴 @ 1.5A, 4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
144,554
재고 있음
1 : ₩347.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩93.12367
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
147,453
재고 있음
1 : ₩360.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩95.06933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4V, 10V
71m옴 @ 3A, 10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
68,062
재고 있음
1 : ₩360.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩95.06933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
712,363
재고 있음
1 : ₩416.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩110.37867
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
129,079
재고 있음
1 : ₩416.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩110.37867
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
4V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
27,890
재고 있음
1 : ₩457.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.46100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
22.1m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
321,785
재고 있음
1 : ₩485.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.65233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
17.6m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
41,586
재고 있음
1 : ₩582.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩159.61167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
5.5A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
6,161
재고 있음
1 : ₩610.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩168.41933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.2A(Ta)
1.5V, 4V
28m옴 @ 3A, 4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
11,911
재고 있음
1 : ₩624.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩171.92200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
14A(Ta)
-
9.1m옴 @ 4A, 8V
1V @ 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
26,071
재고 있음
1 : ₩707.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩197.85100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V, 10V
69m옴 @ 2A, 10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
105,208
재고 있음
1 : ₩721.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩202.97100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.4A(Ta)
1.5V, 4.5V
25.8m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
60,906
재고 있음
1 : ₩721.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩202.97100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
3.3V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
11,431
재고 있음
1 : ₩721.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩202.97100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
15A(Ta)
4.5V, 10V
8.9m옴 @ 4A, 10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TA)
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
74,461
재고 있음
1 : ₩776.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩219.89333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V, 10V
69m옴 @ 2A, 10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
2,800
재고 있음
1 : ₩943.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩272.82300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.5A(Ta)
4V, 10V
134m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V, -20V
660 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
30,759
재고 있음
1 : ₩1,040.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩305.13833
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
26A(Tc)
4.5V, 10V
11.4m옴 @ 13A, 10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW(Ta), 61W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
7,844
재고 있음
1 : ₩1,054.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩308.34533
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
48A(Tc)
4.5V, 10V
9.7m옴 @ 15A, 4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
4,552
재고 있음
1 : ₩1,095.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩322.70767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
34A(Tc)
6V, 10V
19m옴 @ 17A, 10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta), 57W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
12,479
재고 있음
1 : ₩1,220.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩343.56340
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
80A(Tc)
4.5V, 10V
3.7m옴 @ 40A, 10V
2.4V @ 200µA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
630mW(Ta), 86W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
32,614
재고 있음
1 : ₩1,248.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩371.55233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
17A(Tc)
4.5V, 10V
11.4m옴 @ 8.5A, 10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta), 34W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
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Toshiba Semiconductor and Storage 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.