트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

검색 결과 : 35
포장
Digi-Reel®컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
제품 현황
단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V30 V34 V38 V40 V60 V100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA(Ta)2A(Ta)2.5A(Ta)4A(Ta)4.5A(Ta)6A(Ta)8A(Ta)8.3A(Ta)10A(Ta)18A(Ta)20A(Ta)24A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.5V, 4V1.8V, 4.5V2V, 4.5V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V6V, 10V10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.2m옴 @ 23A, 10V3.1m옴 @ 40A, 10V3.4m옴 @ 9A, 10V4.5m옴 @ 32.5A, 10V5.5m옴 @ 40A, 10V6.8m옴 @ 12.5A, 10V7m옴 @ 12A, 10V8m옴 @ 30A, 10V8.5m옴 @ 25A, 10V8.5m옴 @ 4.2A, 10V10m옴 @ 5A, 4.5V10.3m옴 @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.7V @ 1mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1A2.5V @ 1mA2.8V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 200µA4V @ 1mA-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V3 nC @ 10 V7 nC @ 10 V9 nC @ 5 V9.4 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 5 V10 nC @ 10 V10.1 nC @ 10 V12.9 nC @ 10 V14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V22.3 nC @ 4 V
Vgs(최대)
±8V±10V±12V±20V±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
17 pF @ 25 V86 pF @ 10 V119 pF @ 10 V120 pF @ 10 V235 pF @ 30 V400 pF @ 10 V410 pF @ 10 V450 pF @ 15 V530 pF @ 10 V630 pF @ 10 V640 pF @ 10 V680 pF @ 10 V
내전력(최대)
200mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta)700mW(Ta), 30W(Tc)800mW(Ta)840mW(Ta)1W(Ta)1.6W(Ta), 45W(Tc)2W(Ta)18W(Tc)25W(Tc)38W(Tc)58W(Tc)60W(Tc)
작동 온도
150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
실장 유형
스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
8-SOP 고급(5x5)8-SOP(5.5x6.0)8-TSON 고급(3.1x3.1)8-TSON 고급(3.3x3.3)DPAK+PS-8(2.9x2.4)SC-59SOT-23FTO-220-3TO-220SISTSMUF6UFMVS-6(2.9x2.8)
패키지/케이스
3-SMD, 플랫 리드(Lead)6-SMD, 플랫 리드(Lead)8-PowerVDFN8-SMD, 플랫 리드(Lead)8-SOIC(0.173", 4.40mm 너비)8-VDFN 노출형 패드SOT-23-3 플랫 리드(Lead)SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TO-220-3TO-220-3 풀팩(Full Pack)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
35검색 결과
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/ 35
제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
9,430
재고 있음
1 : ₩747.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩167.68533
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2.5A(Ta)
4.5V, 10V
107m옴 @ 2A, 10V
2.8V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
11,303
재고 있음
1 : ₩968.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩224.29967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
38 V
2A(Ta)
4V, 10V
150m옴 @ 2A, 10V
1.7V @ 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
1,834
재고 있음
1 : ₩2,434.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩691.19900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
8A(Ta)
6V, 10V
54m옴 @ 4A, 10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 10 V
-
25W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
11,671
재고 있음
1 : ₩636.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩138.01567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
38 V
2A(Ta)
4V, 10V
340m옴 @ 1A, 10V
2.4V @ 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
86 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
5,998
재고 있음
1 : ₩705.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩155.95133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2.5A(Ta)
2V, 4.5V
64m옴 @ 1.5A, 4.5V
1.2V @ 200µA
-
±10V
800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
UF6
6-SMD, 플랫 리드(Lead)
3,000
재고 있음
1 : ₩941.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩218.76700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
34 V
2A(Ta)
4V, 10V
240m옴 @ 1A, 10V
1.7V @ 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
119 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
1,768
재고 있음
1 : ₩2,642.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩753.98900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
35A(Ta)
6V, 10V
10.3m옴 @ 17.5A, 10V
3V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 10 V
-
58W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
1,755
재고 있음
1 : ₩3,375.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩1,019.32850
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
60A(Ta)
6V, 10V
8m옴 @ 30A, 10V
3V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
88W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
1,171
재고 있음
1 : ₩3,762.00000
컷 테이프(CT)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
45A(Ta)
4.5V, 10V
2.2m옴 @ 23A, 10V
2.5V @ 1mA
113 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta), 45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
200mA(Ta)
4.5V, 10V
2.1옴 @ 500mA, 10V
-
-
±20V
17 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-59
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
재고 있음
3,000 : ₩781.68333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
10A(Ta)
1.8V, 4.5V
10m옴 @ 5A, 4.5V
1.2V @ 200µA
115 nC @ 5 V
±8V
9130 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP(5.5x6.0)
8-SOIC(0.173", 4.40mm 너비)
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
27.6m옴 @ 4A, 10V
2.5V @ 1mA
10.1 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSM
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
재고 있음
활성
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.5V, 4V
38m옴 @ 3A, 4V
1V @ 1mA
22.3 nC @ 4 V
±8V
1484 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
0
재고 있음
활성
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
10A(Ta)
2.5V, 4.5V
12m옴 @ 7A, 4.5V
1.2V @ 1mA
9.4 nC @ 4.5 V
±12V
710 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UF6
6-SMD, 플랫 리드(Lead)
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
8.3A(Ta)
4.5V, 10V
8.5m옴 @ 4.2A, 10V
2.5V @ 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 10 V
-
840mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PS-8(2.9x2.4)
8-SMD, 플랫 리드(Lead)
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.5A(Ta)
2V, 4.5V
55m옴 @ 2.2A, 4.5V
1.2V @ 200µA
9.8 nC @ 5 V
±12V
680 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VS-6(2.9x2.8)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
18A(Ta)
4.5V, 10V
3.4m옴 @ 9A, 10V
2.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP(5.5x6.0)
8-SOIC(0.173", 4.40mm 너비)
0
재고 있음
단종
컷 테이프(CT)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
25A(Ta)
4.5V, 10V
6.8m옴 @ 12.5A, 10V
2.5V @ 1A
30 nC @ 10 V
±25V
1600 pF @ 10 V
-
700mW(Ta), 30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.3x3.3)
8-VDFN 노출형 패드
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
10A(Ta)
6V, 10V
28m옴 @ 5A, 10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 10 V
-
25W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
0
재고 있음
단종
튜브
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
18A(Ta)
-
42m옴 @ 9A, 10V
-
33 nC @ 10 V
-
-
-
-
150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220-3
TO-220-3
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
20A(Ta)
6V, 10V
14m옴 @ 10A, 10V
3V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 10 V
-
38W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
20A(Ta)
6V, 10V
29m옴 @ 10A, 10V
3V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 10 V
-
38W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
0
재고 있음
단종
튜브
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
25A(Ta)
-
18m옴 @ 12.5A, 10V
-
29 nC @ 10 V
-
-
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220-3
TO-220-3
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
30A(Tc)
6V, 10V
18옴 @ 15A, 10V
3V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 10 V
-
58W(Tc)
175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
DPAK+
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
0
재고 있음
단종
튜브
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
40A(Ta)
-
15m옴 @ 20A, 10V
4V @ 1mA
84 nC @ 10 V
-
4000 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
스루홀
TO-220-3
TO-220-3
보기
/ 35

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.