IGBT 어레이

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
IGBT 유형
구성
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
전력 - 최대
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
전류 - 콜렉터 차단(최대)
입력 정전 용량(Cies) @ Vce
입력
NTC 서미스터
작동 온도
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
32 PowerDIP
IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
STMicroelectronics
163
재고 있음
1 : ₩31,646.00000
컷 테이프(CT)
200 : ₩16,756.56500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
-
하프브리지
1200 V
69 A
536 W
2.3V @ 15V, 50A
25 µA
3152 pF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 175°C(TJ)
표면 실장
9-PowerSMD
9-ACEPACK SMIT
MMIX4G20N250
IGBT ARR FBRIDGE 2500V 23A 24SMD
IXYS
289
재고 있음
1 : ₩162,236.00000
튜브
-
튜브
단종
-
풀브리지
2500 V
23 A
100 W
3.1V @ 15V, 20A
10 µA
1.19 nF @ 15 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
24-SMD 모듈, 9 리드
24-SMPD
MMIX4B22N300
IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD
IXYS
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩179,344.00000
튜브
튜브
활성
-
풀브리지
3000 V
38 A
150 W
2.7V @ 15V, 22A
35 µA
2.2 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
24-SMD 모듈, 9 리드
24-SMPD
IGBT ARR HBRIDGE 600V 30A I4PAK5
IGBT ARR HBRIDGE 600V 30A I4PAK5
IXYS
0
재고 있음
25 : ₩9,746.40000
튜브
-
튜브
단종
NPT
하프브리지
600 V
30 A
100 W
2.4V @ 15V, 20A
600 µA
1.1 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
스루홀
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac-5
IGBT ARR HBRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXYS
0
재고 있음
25 : ₩10,700.36000
벌크
-
벌크
단종
NPT
하프브리지
600 V
40 A
125 W
2.2V @ 15V, 25A
600 µA
1.6 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
스루홀
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
0
재고 있음
리드 타임 확인
6 : ₩1,096,590.33333
트레이
*
트레이
활성
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
NPT
하프브리지
1200 V
33 A
150 W
2.9V @ 15V, 20A
200 µA
1.2 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
스루홀
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
NPT
하프브리지
1200 V
50 A
200 W
2.6V @ 15V, 30A
400 µA
2 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
스루홀
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
0
재고 있음
단종
-
벌크
단종
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
PT
하프브리지
1200 V
32 A
130 W
2.1V @ 15V, 15A
125 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
테이프 및 릴(TR)
단종
PT
하프브리지
1200 V
32 A
130 W
2.1V @ 15V, 15A
125 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
PT
하프브리지
1200 V
43 A
150 W
2.2V @ 15V, 25A
2.1 mA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
테이프 및 릴(TR)
단종
PT
하프브리지
1200 V
43 A
150 W
2.2V @ 15V, 25A
2.1 mA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
PT
하프브리지
1200 V
63 A
230 W
2.15V @ 15V, 35A
150 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
-
테이프 및 릴(TR)
단종
PT
하프브리지
1200 V
63 A
230 W
2.15V @ 15V, 35A
150 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
튜브
단종
PT
하프브리지
1200 V
63 A
230 W
2.15V @ 15V, 35A
150 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
CLE90UH1200TLB-TRR
IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD
IXYS
0
재고 있음
단종
테이프 및 릴(TR)
단종
PT
하프브리지
1200 V
63 A
230 W
2.15V @ 15V, 35A
150 µA
-
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
9-SMD 모듈
ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK4
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK4
IXYS
0
재고 있음
단종
-
튜브
단종
NPT
하프브리지
1700 V
18 A
140 W
6V @ 15V, 16A
100 µA
2.4 nF @ 25 V
표준
없음
-55°C ~ 150°C(TJ)
스루홀
i4-Pac™-4, 절연
ISOPLUS i4-PAC™
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IGBT 어레이


절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)는 주로 전자 스위치로 사용되는 고효율 및 고속 3단자 전력 반도체 장치입니다. 가변 주파수 구동(VFD), 전기 자동차, 기차, 램프 밸러스트, 냉방기와 음향 시스템과 산업용 제어 시스템의 스위칭 증폭기와 같은 고전력 응용 분야에서 전원 공급 장치의 스위칭에 사용됩니다. IGBT 어레이는풀브리지 또는 하프브리지 구성으로 하나의 패키지에 여러 장치를 포함합니다.