FET, MOSFET 어레이

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FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Infineon Technologies
19,041
재고 있음
1 : ₩1,667.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩380.45750
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
50V
3A
130m옴 @ 3A, 10V
3V @ 250µA
30nC(10V)
290pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Infineon Technologies
9,892
재고 있음
1 : ₩1,756.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩430.12750
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
3.5A, 2.3A
100m옴 @ 2.2A, 10V
1V @ 250µA
14nC(10V)
190pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Infineon Technologies
74,934
재고 있음
1 : ₩1,905.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩457.58925
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
30V
4A, 3A
50m옴 @ 2.4A, 10V
1V @ 250µA
25nC(4.5V)
520pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Infineon Technologies
18,080
재고 있음
1 : ₩1,905.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩470.97225
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
55V
4.7A
50m옴 @ 4.7A, 10V
1V @ 250µA
36nC(10V)
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Infineon Technologies
39,704
재고 있음
1 : ₩2,173.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩550.92050
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
9.1A, 11A
16.4m옴 @ 9.1A, 10V
2.35V @ 25µA
10nC(4.5V)
850pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Infineon Technologies
11,828
재고 있음
1 : ₩2,203.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩887.73525
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
8A
17.8m옴 @ 8A, 10V
4V @ 50µA
36nC(10V)
1330pF @ 30V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
31,827
재고 있음
1 : ₩2,366.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩611.29450
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
55V
4.7A, 3.4A
50m옴 @ 4.7A, 10V
1V @ 250µA
36nC(10V)
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
8 PowerTDFN
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Infineon Technologies
2,770
재고 있음
1 : ₩2,515.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩616.33720
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널 보완 부품
논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
20V
5.1A, 3.2A
55 m옴 @ 5.1A, 4.5V
1.4V @ 110µA
2.8nC(4.5V)
419pF @ 10V
2.5W
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8-FL
PG-TDSON-8-4
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
25,991
재고 있음
1 : ₩3,145.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩845.15620
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
20A(Tc)
11.2m옴 @ 17A, 10V
2.2V @ 28µA
55nC(10V)
4020pF @ 30V
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Infineon Technologies
2,336
재고 있음
1 : ₩3,334.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩1,277.74760
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N 채널(이중) 비대칭
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
25V
19A, 41A
3m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
8.4nC(4.5V)
1100pF @ 12V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
6,675
재고 있음
1 : ₩3,306.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩1,121.56375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
55V
5.1A
50m옴 @ 5.1A, 10V
1V @ 250µA(최소)
44nC(10V)
780pF @ 25V
2.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
PG-TDSON-8-4
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Infineon Technologies
25,836
재고 있음
1 : ₩744.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩441.72740
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
8A
15m옴 @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
13.2nC(10V)
1100pF @ 15V
26W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
6 PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Infineon Technologies
16,516
재고 있음
1 : ₩1,250.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩280.52575
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
3.6A
63m옴 @ 3.4A, 4.5V
1.1V @ 10µA
2.8nC(4.5V)
270pF @ 25V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-PowerVDFN
6-PQFN 이중(2x2)
8,202
재고 있음
1 : ₩1,444.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩448.91880
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
6A
22m옴 @ 7.7A, 10V
2.1V @ 250µA
10nC(10V)
800pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
PG-DSO-8
MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Infineon Technologies
8,573
재고 있음
1 : ₩1,637.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩392.72800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
25V
3.5A, 2.3A
100m옴 @ 1A, 10V
3V @ 250µA
27nC(10V)
330pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Infineon Technologies
12,016
재고 있음
1 : ₩1,741.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩794.45780
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N 채널(이중) 비대칭
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
17A, 31A
5m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
8.9nC(4.5V)
1025pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
15,006
재고 있음
1 : ₩2,128.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩540.14550
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
-
29m옴 @ 5.8A, 10V
1V @ 250µA
33nC(10V)
650pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
IRFI4019H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Infineon Technologies
512
재고 있음
1 : ₩2,204.00000
튜브
-
튜브
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
100V
11A(Tc)
72.5m옴 @ 6.6A, 10V
5V @ 250µA
18nC(10V)
490pF @ 50V
18W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220-5 풀팩(Full Pack), 성형 리드(Lead)
TO-220-5 풀팩(Full Pack)
PG-TDSON-8-4
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
28,599
재고 있음
1 : ₩2,542.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩651.01500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
40V
20A(Tc)
7.2m옴 @ 17A, 10V
2.2V @ 30µA
52nC(10V)
3990pF @ 20V
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
8,011
재고 있음
1 : ₩2,575.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩674.32525
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
30V
-
29m옴 @ 5.8A, 10V
1V @ 250µA
33nC(10V)
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
6 PQFN
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Infineon Technologies
3,110
재고 있음
1 : ₩1,190.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩275.48725
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
4.5A
45m옴 @ 3.4A, 4.5V
1.1V @ 10µA
3.1nC(4.5V)
310pF @ 10V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-PowerVDFN
6-PQFN 이중(2x2)
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Infineon Technologies
2,491
재고 있음
1 : ₩1,999.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩453.80240
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N 채널(하프브리지)
-
30V
15A
5m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
17nC(10V)
1157pF @ 15V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
24,126
재고 있음
1 : ₩2,098.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩524.70600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
8A
15m옴 @ 9.3A, 10V
2V @ 250µA
17nC(10V)
1300pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
PG-DSO-8
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Infineon Technologies
72,113
재고 있음
1 : ₩2,278.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩548.41640
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N 채널(이중) 비대칭
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
17A, 32A
5m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
10nC(4.5V)
1160pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Infineon Technologies
2,046
재고 있음
1 : ₩2,381.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩583.01740
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N 채널(이중) 비대칭
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
17A, 32A
5m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
10nC(4.5V)
1160pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
보기
/ 38

FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.