6A(Ta) 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

검색 결과 : 192
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.RenesasRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
계열
-CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIeGaN®FETKY™HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIIIU-MOSIVU-MOSIXU-MOSVIU-MOSVII
포장
Digi-Reel®벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
8 V12 V20 V24 V30 V35 V40 V45 V60 V75 V80 V100 V400 V500 V
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.5V, 4.5V1.8V, 10V1.8V, 4.5V1.8V, 8V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V4.5V, 10V5V6V, 10V10V-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9.9m옴 @ 1A, 4.5V17.6m옴 @ 6A, 8V19m옴 @ 6A, 4.5V20m옴 @ 3A, 10V20m옴 @ 3A, 4.5V21m옴 @ 12.5A, 10V21m옴 @ 6A, 10V21m옴 @ 9.5A, 10V21.1m옴 @ 6A, 4.5V22m옴 @ 6A, 10V22.1m옴 @ 6A, 8V22.5m옴 @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
450mV @ 250µA(최소)900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(최소)1V @ 50µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.2V @ 40µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V2.5 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 5 V3.2 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V6 nC @ 4 V6.3 nC @ 10 V6.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
-8V-6V+6V, -12V+6V, -4V+6V, -5V+6V, -8V±8V±10V+12V, -6V+12V, -8V±12V+20V, -12V±20V20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
205 pF @ 50 V220 pF @ 50 V268 pF @ 15 V280 pF @ 15 V305 pF @ 50 V310 pF @ 15 V340 pF @ 15 V343 pF @ 15 V350 pF @ 15 V350 pF @ 25 V410 pF @ 10 V425 pF @ 25 V
FET 특징
-쇼트키 다이오드(분리형)
내전력(최대)
500mW(Ta)510mW(Ta), 6.94W(Tc)530mW(Ta), 6.25W(Tc)600mW(Ta)610mW(Ta), 8.3W(Tc)630mW(Ta)650mW(Ta)700mW(Ta)800mW(Ta)820mW(Ta), 8.33W(Tc)900mW(Ta)950mW(Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
실장 유형
-스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
6-CPH6-DFN(2x2)6-HUSON(2x2)6-MCPH6-TSOP6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)8-DFN(5x6)8-HUSON(2.7x2)8-SO8-SOIC8-SOP
패키지/케이스
3-SMD, SOT-23-3 변형3-SMD, 플랫 리드(Lead)4-SMD, 무연4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-SMD, 플랫 리드(Lead)6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UDFN 노출형 패드6-WDFN 노출형 패드6-WFDFN 노출형 패드
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
192검색 결과
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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
147,917
재고 있음
1 : ₩498.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.84667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
71,766
재고 있음
1 : ₩498.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩106.97667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
741,839
재고 있음
1 : ₩567.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.73633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
28,390
재고 있음
1 : ₩636.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩138.01567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
22.1m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
345,734
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩148.03467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
17.6m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
155,665
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.73867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
21m옴 @ 6A, 10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW(Ta), 6.94W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
20,339
재고 있음
355,000
공장
1 : ₩747.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩251.92480
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
68m옴 @ 12A, 10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
72,853
재고 있음
1 : ₩802.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩272.00167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
44m옴 @ 6A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
426 pF @ 30 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-DFN(2x2)
6-UDFN 노출형 패드
5,091
재고 있음
1 : ₩941.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩218.76700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6A(Ta)
4V, 10V
36m옴 @ 5A, 10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
DFN2020MD-6
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
18,168
재고 있음
1 : ₩1,051.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩246.97033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
43m옴 @ 6A, 10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
DFN2020MD-6
6-UDFN 노출형 패드
8-WDFN
NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
12,702
재고 있음
1 : ₩1,522.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩601.68640
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
52m옴 @ 7A, 10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta), 21W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
15,000
재고 있음
1 : ₩2,753.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩746.92800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
52m옴 @ 7A, 10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta), 21W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO252-3
SPD06N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
1,059
재고 있음
1 : ₩3,665.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,123.50160
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
6A(Ta)
10V
900m옴 @ 3.8A, 10V
3.9V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
12,354
재고 있음
1 : ₩4,246.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,314.04000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
100 V
6A(Ta)
5V
30m옴 @ 6A, 5V
2.5V @ 1.2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V, -4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
다이
다이
SOT-23-3
DMN2040U-13
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
8,396
재고 있음
320,000
공장
1 : ₩387.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩103.75520
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
2.5V, 4.5V
25m옴 @ 8.2A, 4.5V
1.2V @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3422
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
807,064
재고 있음
1 : ₩415.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩124.48800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
24m옴 @ 6A, 10V
1V @ 1mA
8.8 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
69,601
재고 있음
1 : ₩456.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩99.99167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
38m옴 @ 4A, 10V
2.5V @ 100µA
2.7 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
TSOT-26
DMG6402LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
25,434
재고 있음
1,242,000
공장
1 : ₩526.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.76867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
30m옴 @ 7A, 10V
2V @ 250µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.75W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSOT-26
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-3
DMN2040U-7
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
4,799
재고 있음
294,000
공장
1 : ₩526.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩116.70967
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
2.5V, 4.5V
25m옴 @ 8.2A, 4.5V
1.2V @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
7,554
재고 있음
1 : ₩539.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩117.51200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SC-59-3
DMN3033LSN-7
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Diodes Incorporated
19,937
재고 있음
75,000
공장
1 : ₩553.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩185.74533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
30m옴 @ 6A, 10V
2.1V @ 250µA
10.5 nC @ 5 V
±20V
755 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
28,202
재고 있음
1 : ₩581.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩125.79733
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 4.5V
30.1m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
16.6 nC @ 4.5 V
±10V
1030 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
51,104
재고 있음
1 : ₩609.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩133.96767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4.5V, 10V
28m옴 @ 5A, 10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
onsemi
22,465
재고 있음
1 : ₩609.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩204.82433
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
4V, 10V
43m옴 @ 3A, 10V
-
13 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-CPH
SOT-23-6
TSOT-26
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
72,347
재고 있음
1,104,000
공장
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩170.67300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 4.5V
35m옴 @ 4A, 4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSOT-26
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
보기
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6A(Ta) 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.