3.1A(Ta) 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 44
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.BruckewellDiodes IncorporatedHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
계열
-FemtoFET™HEXFET®NexFET™PowerTrench®SOT-23TrenchFET®
포장
Digi-Reel®벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
N채널P채널
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V75 V100 V350 V
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.5V, 4.5V1.8V, 10V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
36m옴 @ 3.1A, 10V46m옴 @ 3.6A, 4.5V53m옴 @ 4A, 10V55m옴 @ 3A, 10V56m옴 @ 2A, 4.5V60m옴 @ 3.1A, 10V65m옴 @ 3.1A, 10V65m옴 @ 3.9A, 4.5V65m옴 @ 4.4A, 4.5V75m옴 @ 4.2A, 10V85m옴 @ 3.1A, 4.5V88m옴 @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
600mV @ 250µA(최소)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.35 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 5 V5.4 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±8V±12V12V±16V±20V±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
195 pF @ 15 V275 pF @ 30 V303 pF @ 10 V330 pF @ 10 V330 pF @ 40 V350 pF @ 25 V350 pF @ 37.5 V400 pF @ 10 V416 pF @ 10 V443 pF @ 15 V460 pF @ 10 V505 pF @ 20 V
FET 특징
-쇼트키 다이오드(분리형)
내전력(최대)
380mW(Ta)478mW(Ta), 8.36W(Tc)500mW(Ta)520mW(Ta)530mW(Ta), 4.46W(Tc)700mW(Ta)750mW(Ta)780mW(Ta)1W(Ta)1.15W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)
실장 유형
표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
3-PICOSTAR6-MicroFET(2x2)6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™DFN1616-6WSC-70-6SOT-223SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
패키지/케이스
3-XFDFN6-PowerWFDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-VDFN 노출형 패드8-SMD, 플랫 리드(Lead)8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)SC-70, SOT-323SC-74, SOT-457SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6TO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63TO-261-4, TO-261AA
재고 옵션
환경 옵션
미디어
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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
CSDxxxxF4T
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
23,900
재고 있음
1 : ₩548.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.67300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
109m옴 @ 500mA, 8A
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT223-3L
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
96,499
재고 있음
1 : ₩1,183.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩448.43800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
89,759
재고 있음
1 : ₩591.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩131.43400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
88m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Diodes Incorporated
60,503
재고 있음
339,000
공장
1 : ₩606.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.84767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V, 4.5V
56m옴 @ 2A, 4.5V
1V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
27,570
재고 있음
123,000
공장
1 : ₩635.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩100.82933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V, 10V
75m옴 @ 4.2A, 10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSOT-26
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TO-236AB
PMV55ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,243
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩178.53567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
60m옴 @ 3.1A, 10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 30 V
-
478mW(Ta), 8.36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,323
재고 있음
1 : ₩880.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩333.00600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
10V
53m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,843
재고 있음
1 : ₩923.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩348.78200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
53m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-223-3
ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Diodes Incorporated
2,702
재고 있음
1 : ₩995.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩425.21400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
120m옴 @ 2.5A, 10V
3V @ 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
CSDxxxxF4T
CSD17381F4T
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
37,611
재고 있음
1 : ₩1,212.00000
컷 테이프(CT)
250 : ₩763.64800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
109m옴 @ 500mA, 8V
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
3-PICOSTAR
3-XFDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN70XPX
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
10,909
재고 있음
1 : ₩606.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.84767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V, 4.5V
88m옴 @ 3.1A, 4.5V
900mV @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
530mW(Ta), 4.46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSOP
SC-74, SOT-457
SOT-23(TO-236)
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,867
재고 있음
1 : ₩880.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩333.00600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
53m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DFN1616-6W
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Rohm Semiconductor
5,651
재고 있음
1 : ₩1,154.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩380.45400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
-
105m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 1mA
4.8 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장, 웨터블 플랭크
DFN1616-6W
6-PowerWFDFN
SOT-23-3
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Diodes Incorporated
1,470
재고 있음
4,632,000
공장
1 : ₩548.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.68733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
90m옴 @ 3.5A, 4.5V
1.25V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±12V
303 pF @ 10 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN2055UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
3,960
재고 있음
15,000
공장
1 : ₩606.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩108.59467
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
46m옴 @ 3.6A, 4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
MS23P05
MS23P05
P-CH MOSFET,-20V,-3.1A,SOT-23
Bruckewell
1,235
Marketplace
1 : ₩188.00000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V, 10V
55m옴 @ 3A, 10V
1.2V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
686 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-WDFN
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
재고 있음
56,231
Marketplace
2,500 : ₩331.77040
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
95m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
쇼트키 다이오드(분리형)
1.4W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 노출형 패드
57,996
재고 있음
1 : ₩548.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩84.32733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
100m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRG4RC10UTRPBF
IRFR321
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,802
Marketplace
761 : ₩562.56767
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
350 V
3.1A(Ta)
10V
1.8옴 @ 1.7A, 10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
SOT-23-3
PJA3403_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,488
재고 있음
1 : ₩577.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩112.76333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V, 10V
98m옴 @ 3.1A, 10V
1.3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
443 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
19,724
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩140.82467
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
88m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
29,966
재고 있음
1 : ₩678.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩85.61133
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
100m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT223-3L
AUIRLL024NTR
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
0
재고 있음
6,003
Marketplace
484 : ₩894.33678
벌크
테이프 및 릴(TR)
벌크
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
3,529
Marketplace
484 : ₩894.33678
벌크
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
6-WDFN
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
재고 있음
1 : ₩1,558.00000
컷 테이프(CT)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
95m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
쇼트키 다이오드(분리형)
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 노출형 패드
보기
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3.1A(Ta) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.