3.1A(Ta) 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 45
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
45검색 결과
적용된 검색 기준 모두 제거

보기
/ 45
제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
CSD25483F4
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
46,355
재고 있음
1 : ₩449.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩108.45633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
109m옴 @ 500mA, 8A
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
3-PICOSTAR
3-XFDFN
45,976
재고 있음
1 : ₩509.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩122.65333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
88m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,461
재고 있음
1 : ₩1,438.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩580.32000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
53m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
100,695
재고 있음
1 : ₩1,453.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩396.26480
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TL431BFDT-QR
PMV55ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
2,181
재고 있음
1 : ₩569.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩152.75533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
60m옴 @ 3.1A, 10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 30 V
-
478mW(Ta), 8.36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2,759
재고 있음
1 : ₩599.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩128.94333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
88m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
62,904
재고 있음
1 : ₩614.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.52767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
100m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Diodes Incorporated
49,036
재고 있음
396,000
공장
1 : ₩644.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.14900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V, 4.5V
56m옴 @ 2A, 4.5V
1V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
15,184
재고 있음
84,000
공장
1 : ₩644.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩139.95067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V, 10V
75m옴 @ 4.2A, 10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSOT-26
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-223-3
ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Diodes Incorporated
4,325
재고 있음
143,000
공장
1 : ₩1,198.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩387.99800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
120m옴 @ 2.5A, 10V
3V @ 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
CSD25483F4
CSD17381F4T
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
33,549
재고 있음
1 : ₩1,303.00000
컷 테이프(CT)
250 : ₩759.76400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
109m옴 @ 500mA, 8V
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
3-PICOSTAR
3-XFDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN70XPX
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
9,581
재고 있음
1 : ₩524.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.50833
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V, 4.5V
88m옴 @ 3.1A, 4.5V
900mV @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
530mW(Ta), 4.46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSOP
SC-74, SOT-457
DFN1616-6W
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Rohm Semiconductor
5,601
재고 있음
1 : ₩1,827.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩462.51367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
-
105m옴 @ 3.1A, 10V
2.5V @ 1mA
4.8 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장, 웨터블 플랭크
DFN1616-6W
6-PowerWFDFN
29,866
재고 있음
1 : ₩434.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩103.87367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V, 4.5V
100m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN2055UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
3,960
재고 있음
51,000
공장
1 : ₩539.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.30167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
46m옴 @ 3.6A, 4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Diodes Incorporated
1,043
재고 있음
780,000
공장
1 : ₩614.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩131.44933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
90m옴 @ 3.5A, 4.5V
1.25V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±12V
303 pF @ 10 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-VDFN Exposed Pad
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
재고 있음
56,231
Marketplace
단종
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
95m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
쇼트키 다이오드(분리형)
1.4W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 노출형 패드
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3403_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,489
재고 있음
1 : ₩584.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩118.54500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V, 10V
98m옴 @ 3.1A, 10V
1.3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
443 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRG4RC10UTRPBF
IRFR321
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,802
Marketplace
761 : ₩584.06439
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
350 V
3.1A(Ta)
10V
1.8옴 @ 1.7A, 10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
SOT223-3L
AUIRLL024NTR
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
0
재고 있음
6,003
Marketplace
단종
테이프 및 릴(TR)
벌크
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
3,529
Marketplace
484 : ₩928.51240
벌크
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
3.1A(Ta)
4V, 10V
65m옴 @ 3.1A, 10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
6-VDFN Exposed Pad
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
재고 있음
63,469
Marketplace
1 : ₩1,617.00000
컷 테이프(CT)
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
95m옴 @ 3.1A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
쇼트키 다이오드(분리형)
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 노출형 패드
SOT-323
DMN2055UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
600
재고 있음
180,000
공장
1 : ₩509.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩100.81833
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
46m옴 @ 3.6A, 4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
AM2358N
AM2358N
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23
Analog Power Inc.
115
Marketplace
1 : ₩404.00000
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
92m옴 @ 2.8A, 10V
1V @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±20V
330 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
465
재고 있음
1 : ₩1,498.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩367.56600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
단종
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V, 10V
53m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
보기
/ 45

3.1A(Ta) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.